RST60P02Y
RST60P02Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -2
- VTH(V):
- -2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 140
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 160
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 160
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 200
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 452
- QG(nC):
- 9
- PD(W):
- 1.7
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60P02Y 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23-3L 超小型封装，基于先进的沟槽技术设计，为低功耗便携设备提供高效的负载开关和 PWM 应用解决方案。额定参数：VDS = -60V，ID = -2A，脉冲漏极电流 IDM = -8A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 1.7W，结温范围 -55~150℃。SOT-23 封装占用极小 PCB 面积，RθJA 典型值 73.5℃/W，适合低功耗、高密度应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 140mΩ（最大 160mΩ，VGS=-10V, ID=-2A）；在 VGS=-4.5V 下典型值 160mΩ，最大值 200mΩ，支持低电压逻辑驱动。栅极阈值电压典型值 -1.4V，范围 -1.0V~-2.6V。跨导典型值 3S。动态参数：输入电容 452pF，输出电容 27.8pF，反向传输电容 21.5pF（VDS=-30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=-30V, ID=-2A, VGS=-10V, RG=3Ω）：开通延迟 40ns，上升 35ns，关断延迟 15ns，下降 10ns。栅极电荷：Qg=9nC，Qgs=1.6nC，Qgd=1.9nC。静态漏电流极小。
■ 热特性与可靠性
器件具备较低的导通电阻和栅极电荷，适合低频至中频的 PWM 应用。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 25ns，恢复电荷 31nC。虽然未明确标注 EAS，但沟槽工艺保证了良好的雪崩耐量。热设计需注意 RθJA = 73.5℃/W，在 25℃ 环境下最大功耗 1.7W，需确保结温不超过 150℃。SOT-23 封装适合小信号开关应用，符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60P02Y 的小封装和低电流特性，使其成为便携设备和低功耗系统的理想选择：
负载开关：智能手机、穿戴设备、电池供电系统中的电源路径管理和负载通断控制。
PWM 应用：小功率 DC-DC 转换器、LED 调光驱动中的开关元件。
信号调理：模拟开关、继电器驱动、电平转换电路中的功率接口。
便携式设备：蓝牙耳机、智能手表等对 PCB 面积敏感的应用。
RST60P02Y 以极小的封装提供可靠的 P 沟道开关性能，是空间受限设计的理想选择。
