RST60NP2012K
RST60NP2012K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 20
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 24
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 40
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 900
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 50
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60NP2012K 是一款集成 N 沟道和 P 沟道的互补功率 MOSFET，采用 TO-252-4L 封装。N 沟道额定 VDS = 60V，ID = 20A（TC=100℃ 时 14A）；P 沟道额定 VDS = -60V，ID = -12A（TC=100℃ 时 -8.5A）。脉冲电流分别为 60A 和 -30A，VGS 均为 ±20V。总功耗 PD = 50W，结温范围 -55~175℃，RθJC = 3℃/W。互补设计简化 H 桥和逆变器电路。
■ 关键电气参数
N 沟道：导通电阻典型值 24mΩ（最大 35mΩ，VGS=10V），4.5V 下典型 30mΩ（最大 40mΩ）；阈值电压典型 1.6V，跨导 11S；输入电容 900pF，输出 60pF，反向 25pF。P 沟道：导通电阻典型 84mΩ（最大 100mΩ，VGS=-10V），4.5V 下典型 100mΩ（最大 125mΩ）；阈值典型 -1.5V，跨导 10S；输入电容 1630.7pF，输出 90.6pF，反向 77.3pF。两者均具备低静态漏电流。
■ 开关特性与热设计
N 沟道开关时间（VDD=30V, ID=4.5A）：td(on)=5ns, tr=2.6ns, td(off)=16.1ns, tf=2.3ns；Qg=25nC。P 沟道（VDD=-30V, ID=-12A）：td(on)=11ns, tr=14ns, td(off)=33ns, tf=13ns；Qg=37.6nC。两者均具备体二极管，N 沟道反向恢复 29ns，P 沟道 35ns。雪崩能量均为 72mJ（N 沟道）和 72mJ（P 沟道），保证可靠性。热设计需注意 RθJC = 3℃/W，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 标准。
■ 主要应用领域
互补架构特别适用于需要上下管匹配的电路，TO-252-4L 封装便于散热：
H 桥与电机驱动：直流电机双向控制、步进电机驱动，利用互补特性简化死区控制。
逆变器：光伏逆变器、UPS 逆变级中的功率级开关。
电源转换：同步降压/升压转换器，利用 N/P 组合实现高侧和低侧开关。
音频放大器：D 类放大器输出级，提供高效率音频功率放大。
RST60NP2012K 以单封装集成互补器件，节省 PCB 空间并提高系统可靠性。
