RST60ND45G
RST60ND45G 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 45
- VTH(V):
- 3
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 11
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2622.3
- QG(nC):
- 52
- PD(W):
- 60
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60ND45G 采用 DFN5X6-8L 先进封装，基于沟槽工艺与高密度单元，提供极低的导通电阻和高电流能力。额定参数：VDS = 60V，ID = 45A（TC=100℃ 时 32A），脉冲漏极电流 IDM = 140A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 60W，结温范围 -55~150℃。DFN5X6 封装具有极低的热阻，RθJC 典型值 2.08℃/W，配合大面积顶部散热焊盘，适合超高功率密度应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 11mΩ，最大值 15mΩ（VGS=10V, ID=20A），极低导通损耗。栅极阈值电压典型值 3V，范围 2V~4V。跨导典型值 25S，提供卓越的增益。动态参数：输入电容 2622.3pF，输出电容 175.3pF，反向传输电容 126.5pF（VDS=30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=30V, ID=20A, VGS=10V, RG=3Ω）：开通延迟 8.5ns，上升 6ns，关断延迟 30ns，下降 5ns。栅极电荷：Qg=52nC，Qgs=13.9nC，Qgd=15.2nC。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA。
■ 雪崩能力与热设计
RST60ND45G 具备高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量 EAS = 260mJ（TJ=25℃, VDD=30V, L=0.5mH），在感性负载和过压浪涌下提供高可靠性。热阻 RθJC = 2.08℃/W，25℃ 下最大耗散 60W，需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 30ns，恢复电荷 44nC，有效降低续流损耗。器件经 100% 雪崩和击穿电压测试，符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60ND45G 的超高电流和极低导通电阻，适用于要求最高功率密度和效率的场景：
超大功率 DC-DC 转换：服务器、通信设备、电动汽车中的高压大电流变换器主开关。
不间断电源（UPS）：大功率逆变级、PFC 电路，应对严苛瞬态。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、工业变频器功率级。
负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换器件。
RST60ND45G 以 DFN5X6 封装实现超高功率密度，是顶级功率设计的优选器件。
