RST60ND20AK
RST60ND20AK 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 20
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 24
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 40
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 973
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 45
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60ND20AK 采用 TO-252-4L（DPAK）表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元设计，具备优异的导通电阻和低栅极电荷特性。额定参数：VDS = 60V，ID = 20A（TC=100℃ 时 14A），脉冲漏极电流 IDM = 60A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 45W，降额因子 0.3W/℃，结温范围 -55~175℃。TO-252-4L 封装提供良好的散热路径，RθJC 典型值 3.3℃/W，适合自动化生产和大电流应用。
■ 关键电气参数
导通电阻典型值 24mΩ（最大 35mΩ，VGS=10V, ID=20A）；在 VGS=4.5V 下典型值 30mΩ，最大值 40mΩ，支持逻辑电平驱动，简化栅极驱动设计。栅极阈值电压典型值 1.6V，范围 1.2V~2.5V，确保低电压导通。跨导典型值 11S，提供优异的增益。动态参数：输入电容 973pF，输出电容 61.2pF，反向传输电容 58.8pF（VDS=30V, f=1MHz），低电容特性利于高频工作。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态功耗极低。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=30V, ID=10A, VGS=10V, RG=3Ω）：开通延迟 5ns，上升 2.6ns，关断延迟 16.1ns，下降 2.3ns，高速开关减少开关损耗。栅极电荷：Qg=25nC，Qgs=4.5nC，Qgd=6.5nC，低 Qg 利于高频驱动。体二极管正向电压最大 1.2V，反向恢复时间 29ns，恢复电荷 49nC，优化续流性能。器件具备 72mJ 单脉冲雪崩能量，保证感性负载下的可靠性。热设计需注意 RθJC = 3.3℃/W，建议 PCB 提供足够铜箔散热，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 回流焊。
■ 主要应用领域
RST60ND20AK 的高电流能力与低导通电阻，适合需要高效率和高可靠性的功率转换系统，TO-252-4L 封装便于大电流布线：
电源转换：服务器电源、通信设备 DC-DC 模块、工业电源中的同步整流和主开关。
不间断电源（UPS）：逆变级、PFC 电路中的功率开关。
电机驱动：大功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级，提供稳定电流处理能力。
负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换或保护器件。
RST60ND20AK 以 TO-252 封装兼顾散热与功率密度，是中等功率应用的理想选择。
