RST60ND18G
RST60ND18G 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 18
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 24
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 40
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 973
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 45
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
RST60ND18G 采用 DFN5X6-8L 表面贴装封装，基于先进的沟槽工艺与高密度单元设计，在紧凑的封装中实现了优异的导通电阻与低栅极电荷特性。额定参数为 VDS = 60V，ID = 18A（TC=100℃ 时 12.7A），脉冲漏极电流 IDM = 60A，VGS = ±20V。最大功耗 PD = 45W，降额因子 0.3W/℃，结温范围 -55~175℃。DFN5X6 封装具有低热阻特性，RθJC 典型值 3.3℃/W，配合顶部裸露焊盘设计，可有效将热量传导至 PCB，适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
导通电阻 RDS(ON) 典型值 24mΩ，最大值 35mΩ（VGS=10V, ID=10A）；在 VGS=4.5V 低驱动电压下典型值 30mΩ，最大值 40mΩ，支持 3.3V/5V 逻辑电平驱动，简化栅极驱动设计。栅极阈值电压典型值 1.6V，范围 1.2V~2.5V，确保低电压下的可靠导通。跨导典型值 11S，提供良好的增益特性。动态参数：输入电容 973pF，输出电容 61.2pF，反向传输电容 58.8pF（VDS=30V, f=1MHz），较低的电容值有助于提升开关速度并降低开关损耗。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。
■ 开关特性与热设计
开关特性（VDD=30V, ID=10A, VGS=10V, RG=3Ω）：开通延迟 5ns，上升 2.6ns，关断延迟 16.1ns，下降 2.3ns，极快的开关响应适合高频硬开关应用。栅极电荷：Qg=25nC，Qgs=4.5nC，Qgd=6.5nC，较低的 Qg 有效降低驱动功耗，提升系统效率。体二极管特性：正向电压 VSD 最大 1.2V（VGS=0V, IS=10A），反向恢复时间 trr 典型值 29ns，反向恢复电荷 Qrr 典型值 49nC（TJ=25℃, IF=10A, di/dt=100A/μs），优化的体二极管性能有助于减少续流损耗。器件具备 72mJ 单脉冲雪崩能量（EAS，TJ=25℃, VDD=30V, L=0.5mH），保证感性负载下的可靠性。热设计需注意 RθJC = 3.3℃/W，建议 PCB 提供足够铜箔面积和散热过孔，确保结温不超过 175℃。符合 RoHS 和无铅标准。
■ 主要应用领域
RST60ND18G 的适中电流能力、极低导通电阻与快速开关特性，使其适用于多种高功率密度场景，DFN5X6 封装有利于紧凑布局：
电源转换：AC-DC 适配器、DC-DC 降压/升压转换器中的主开关管或同步整流管，提升效率。
高频硬开关电路：谐振变换器、LLC 等拓扑中的功率级，利用快速开关减少损耗。
不间断电源（UPS）：逆变级和 PFC 电路中的功率开关，应对瞬态过载。
电机驱动与工业控制：中小功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级，提供可靠电流处理能力。
RST60ND18G 在紧凑封装中兼顾低导通电阻与高频性能，适合对效率和功率密度有较高要求的系统设计。
