RST60H15AD

■ 器件概述与封装特性
RST60H15AD 采用 TO-263-2L（D²PAK）表面贴装封装，基于沟槽工艺与高密度单元，用于高功率开关及电源转换。额定参数：VDS = 60V，ID = 150A（TC=100℃ 时 105A），IDM = 600A，VGS = ±20V。PD = 220W（降额 1.47W/℃），结温 -55~175℃。TO-263-2L 适合批量生产，RθJC 典型值 0.68℃/W，配合大面积铜箔散热，可在紧凑布局中实现高功率密度。

■ 关键电气参数
导通电阻典型值 3.1mΩ（最大 4.0mΩ，VGS=10V, ID=75A），极大降低导通损耗。栅极阈值电压典型值 3V，范围 2V~4V。跨导典型值 80S，增益特性卓越。动态参数：输入电容 5451pF，输出电容 609pF，反向传输电容 488pF（VDS=30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=30V, ID=75A, VGS=10V, RG=2.5Ω）：开通延迟 25ns，上升 23ns，关断延迟 90ns，下降 38ns，胜任高频大功率应用。栅极电荷：Qg=130.8nC，Qgs=22.8nC，Qgd=56.9nC，合理的 Qg 兼顾驱动损耗与开关性能。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。特殊工艺提升 ESD 防护能力。

■ 雪崩能力与热设计
RST60H15AD 具备高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量 EAS = 900mJ（TJ=25℃, VDD=30V, VGS=10V, L=0.5mH），在感性负载和过压浪涌下提供高可靠性。RθJC = 0.68℃/W，25℃ 下最大耗散 220W，高温时按降额曲线（1.47W/℃）减额，确保结温不超过 175℃。表面贴装封装要求 PCB 提供充足漏极铜箔和散热过孔。器件经 100% 雪崩和击穿电压测试，稳定性和均匀性优异，符合 RoHS 和无铅标准，可承受 260℃ 峰值回流焊。

■ 主要应用领域
RST60H15AD 的超高电流和极低导通电阻适用于顶级功率场景，表面贴装封装适合高密度组装：

• 超大功率 DC-DC 转换：服务器、通信设备、电动汽车等系统中的高压大电流变换器主开关。

• 不间断电源（UPS）：逆变级、PFC 电路及旁路开关，应对严苛瞬态条件。

• 电机驱动与工业控制：大功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级。

• 负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换或保护器件，节省 PCB 空间。

RST60H15AD 以 TO-263-2L 封装兼顾功率密度与效率，低导通电阻与高雪崩能量适用于高功率高频开关，选型需结合散热验证。