RST60H15A

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST60H15A 是一款采用 TO-220-3L 通孔封装的超高功率 N 沟道功率 MOSFET，基于先进沟槽工艺与高密度单元结构，专为极高功率开关及电源转换应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 150A（TC=100℃ 时 105A），脉冲电流 IDM = 600A，栅源电压 VGS = ±20V。最大耗散功率 PD = 220W（降额因子 1.47W/℃），结温范围 -55℃~+175℃。TO-220 封装具备极低的热阻（结到壳 RθJC 典型值 0.68℃/W），配合大面积散热器，适用于强制风冷或水冷等高热耗散系统。

■ 关键电气参数
导通电阻典型值 3.1mΩ（最大 4.0mΩ，VGS=10V, ID=75A），处于业界领先水平，极大降低导通损耗。栅极阈值电压典型值 3V，范围 2V~4V。跨导典型值 80S，提供卓越的增益特性。动态参数：输入电容 5451pF，输出电容 609pF，反向传输电容 488pF（VDS=30V, f=1MHz）。开关特性（VDD=30V, ID=75A, VGS=10V, RG=2.5Ω）：开通延迟 25ns，上升 23ns，关断延迟 90ns，下降 38ns，开关速度优异，胜任高频大功率应用。栅极电荷：总栅极电荷 Qg=130.8nC，栅源电荷 Qgs=22.8nC，栅漏电荷 Qgd=56.9nC，合理的 Qg 值兼顾驱动损耗与开关性能。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优异。特殊工艺提升 ESD 防护能力，增强系统可靠性。

■ 雪崩能力与热设计
RST60H15A 具备超高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量 EAS = 900mJ（TJ=25℃, VDD=30V, VGS=10V, L=0.5mH），在感性负载换流和严酷过压浪涌条件下提供顶级可靠性。结到壳热阻 RθJC = 0.68℃/W，25℃ 下最大耗散 220W，高温时需按降额曲线（1.47W/℃）减额，确保结温不超过 175℃。实际应用中必须配合高效散热器与良好风道设计，以充分发挥器件性能。器件经 100% 雪崩能量和漏源击穿电压测试，产品稳定性和均匀性优异，符合 RoHS 和无铅标准。

■ 主要应用领域
RST60H15A 的超高电流和极低导通电阻适用于顶级功率场景：

• 超大功率 DC-DC 转换：服务器、通信设备、电动汽车等系统中的高压大电流变换器主开关。

• 不间断电源（UPS）：逆变级、PFC 电路及旁路开关，应对严苛瞬态条件。

• 电机驱动与工业控制：大功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级。

• 负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换或保护器件。

瑞斯特 RST60H15A 以 TO-220 封装提供顶级功率密度，超低导通电阻与高雪崩能量适用于高功率高频开关场景，选型需结合散热条件与特性曲线验证。