RST60H10

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST60H10 是一款采用 TO-220-3L 通孔封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET，基于先进沟槽工艺与高密度单元结构，专为超高功率开关及电源转换应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 100A（TC=100℃ 时 70A），脉冲电流 IDM = 320A，栅源电压 VGS = ±20V。最大耗散功率 PD = 170W（降额因子 1.13W/℃），结温范围 -55℃~+175℃。TO-220 封装具备优良热传导能力，配合低热阻设计，适合强制风冷或水冷等高热耗散系统。

■ 关键电气参数
导通电阻典型值 4.8mΩ（最大 5.5mΩ，VGS=10V, ID=20A），处于业内领先水平，极大降低导通损耗。栅极阈值电压典型值 2.8V，范围 2V~4V。跨导典型值 50S，提供卓越增益。动态参数：输入电容 4900pF，输出电容 380pF，反向传输电容 290pF（VDS=25V, f=1MHz）。开关特性（VDD=35V, ID=20A, VGS=10V, RGEN=2.5Ω）：开通延迟 17ns，上升 11ns，关断延迟 55ns，下降 15ns，具备极快开关速度，适用于 MHz 级高频电路。栅极电荷：总栅极电荷 Qg=100nC，栅源电荷 Qgs=21nC，栅漏电荷 Qgd=30nC，合理的 Qg 值兼顾驱动损耗与开关性能。零栅压漏电流 IDSS 最大 1μA，栅体漏电流 IGSS 最大 ±100nA，静态特性优良。

■ 雪崩能力与热设计
RST60H10 具备超高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量 EAS = 812mJ（TJ=25℃, VDD=35V, VGS=10V, L=0.5mH, IAS 条件），在感性负载换流和过压浪涌下提供极高可靠性。结到壳热阻 RθJC 可通过 PD 和降额因子推算（约 0.88℃/W），25℃ 下最大耗散 170W，高温时需按降额曲线减额，确保结温不超过 175℃。器件经 100% 雪崩能量和漏源击穿电压测试，并采用特殊工艺提升 ESD 能力，产品稳定性和均匀性优异，符合 RoHS 和无铅标准。

■ 主要应用领域
RST60H10 的超高电流和极低导通电阻适用于顶级功率场景：

• 超大功率 DC-DC 转换：服务器、通信设备、电动汽车等系统中的高压大电流变换器主开关。

• 不间断电源（UPS）：逆变级、PFC 电路及旁路开关，应对严苛瞬态条件。

• 电机驱动与工业控制：大功率 BLDC 电机驱动、变频器功率级。

• 负载开关与热插拔：高可靠性系统中作为大电流负载切换或保护器件。

瑞斯特 RST60H10 以 TO-220 封装提供顶级的功率密度，超低导通电阻与高雪崩能量使其成为高功率、高频开关应用的标杆器件，选型时务必结合散热设计与数据手册全部特性曲线进行验证。