RST609
RST609 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 21
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 19
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 19
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 29
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1500
- QG(nC):
- 24
- PD(W):
- 40
- Specialfeature:
- ESD
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST609 是一款采用先进沟槽工艺技术的互补（N沟道和P沟道）功率MOSFET，集成在单一 TO-252-4L 表面贴装封装中，专为需要高电流处理能力和低导通电阻的高侧开关、电平转换等应用设计。N沟道主要参数：漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 21A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 19mΩ（VGS=10V，典型值14mΩ），RDS(ON) < 29mΩ（VGS=4.5V，典型值19mΩ）。P沟道主要参数：漏源电压 VDS = -40V，连续漏极电流 ID = -14A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 35mΩ（VGS=-10V，典型值29mΩ），RDS(ON) < 45mΩ（VGS=-4.5V，典型值34mΩ）。封装结到壳热阻 3.1℃/W，最大功率耗散 40W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS和AVds测试。
■ 关键电气参数（N沟道）
N沟道典型阈值电压 VGS(th) = 1.5V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 1500pF，输出电容 Coss = 215pF，反向传输电容 Crss = 135pF（VDS=20V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 4ns，上升时间 tr = 11.5ns，关断延迟 td(off) = 18ns，下降时间 tf = 5.6ns。总栅极电荷 Qg = 24nC（VDS=20V，ID=10A），体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 关键电气参数（P沟道）
P沟道典型阈值电压 VGS(th) = -1.5V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 1225pF，输出电容 Coss = 190pF，反向传输电容 Crss = 120pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 30ns，下降时间 tf = 18ns。总栅极电荷 Qg = 21nC，体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 主要应用领域
RST609 适用于需要高电流互补开关的应用：
电平转换：高侧开关、电平移位电路。
电源管理：负载开关、DC-DC转换器中的同步整流。
电机驱动：小功率电机控制、H桥驱动。
便携设备：电池管理系统、电源路径管理。
其互补集成设计节省PCB面积，N沟道和P沟道均具有低导通电阻和高电流能力，适合紧凑型大电流电源管理应用。选型时需注意热管理，确保功耗不超过封装限制。
