RST6080AK
RST6080AK 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6080AK 是一款采用先进沟槽工艺的高压大电流 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2L 封装，专为 PWM 负载开关、电机驱动等大功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 320A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃，存储温度范围 -55℃~175℃。RST6080AK 经过 100% UIS 和 100% AVDS 测试，具备极高的可靠性和耐用性。TO-252-2L 封装提供优异的散热能力，适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RST6080AK 的导通电阻典型值 RDS(on) = 6.5mΩ（VGS=10V, ID=20A），最大 8.0mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 7.5mΩ，最大 9.5mΩ。极低的导通电阻使其在超高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 0.8~1.8V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 4000pF，输出电容 COSS 约 290pF，反向传输电容 CRSS 约 210pF（VDS=30V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 90.3nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 20.6nC，适合中高频大电流开关。栅极电阻未给出。
■ 热管理与可靠性设计
RST6080AK 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 110W，降额因子 0.73W/℃。结到壳热阻 RθJC = 1.36℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 390mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的高可靠性。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。
■ 典型应用场景
RST6080AK 凭借 60V 耐压、80A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：
PWM 负载开关：高电流电源路径管理。
电机驱动：大功率无刷电机控制。
DC/DC 转换器：高功率密度模块中的主开关。
电池保护：高电流充放电保护电路。
瑞斯特 RST6080AK 以 TO-252-2L 封装提供 60V/80A 的 N 沟道高性能，为高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。
