RST6055 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6055 是一款高压 P 沟道增强型功率MOSFET,采用 SOT-23 超小型封装,专为负载开关、DC/DC 转换器等低功耗高压应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V,连续漏极电流 ID = -0.18A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = -0.54A(估计),栅源电压耐受 ±30V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST6055 具备 ESD 保护(HBM ±1600V,MM ±100V),提高抗静电能力。SOT-23 封装占用极小 PCB 面积,适合高密度安装。
■ 关键电气参数
RST6055 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.3Ω(VGS=-10V, ID=-0.18A),最大未给出;在 VGS=-4.5V 时典型值为 4.2Ω。高压 P 沟道下保持较低导通电阻,适合高压小信号开关。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值 -1.5V(ID=-250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 约 30pF(估计),栅极电荷 Qg 约 2nC(估计),适合高频开关。栅极电阻未给出。
■ 热管理与可靠性设计
RST6055 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 0.35W,TC=100℃ 时降额至 0.13W。短脉冲(t<10s)结到环境热阻 RθJA = 357℃/W,稳态热阻 360℃/W(基于 1in² 铜箔)。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试,确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST6055 凭借 -60V 耐压和低导通电阻,广泛适用于以下应用:
负载开关:在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。
DC/DC 转换器:高压小功率转换中的同步整流管。
便携设备电源管理:高压侧负载开关。
逻辑电平转换:作为电平转换器中的开关。
瑞斯特 RST6055 以 SOT-23 超小封装提供 -60V/-0.18A 的 P 沟道高性能,为空间受限的高压低功耗应用提供高效、紧凑的开关方案。