RST603S
RST603S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 5
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 26
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 32
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 45
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 500
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 2
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST603S 是一款采用先进沟槽工艺技术的互补（N沟道和P沟道）功率MOSFET，集成在单一 SOP-8 表面贴装封装中，专为需要高侧开关、电平转换和通用功率开关的应用设计。N沟道主要参数：漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 6.3A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 30mΩ（VGS=10V）。P沟道主要参数：漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -6A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 80mΩ（VGS=-10V）。封装结到环境热阻 62.5℃/W，最大功率耗散 2W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数（N沟道）
N沟道典型阈值电压 VGS(th) = 2V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 1450pF，输出电容 Coss = 145pF，反向传输电容 Crss = 110pF（VDS=-20V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 9ns，关断延迟 td(off) = 65ns，下降时间 tf = 30ns。总栅极电荷 Qg = 26nC（VDS=-30V，ID=-5A），体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 关键电气参数（P沟道）
P沟道典型阈值电压 VGS(th) = -2.6V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 16S（VDS=-15V，ID=-5A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1450pF，输出电容 Coss = 145pF，反向传输电容 Crss = 110pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 9ns，关断延迟 td(off) = 65ns，下降时间 tf = 30ns。总栅极电荷 Qg = 26nC，体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 主要应用领域
RST603S 适用于需要互补器件的紧凑型电源和信号转换应用：
电平转换：高侧开关、电平移位电路。
电源管理：负载开关、DC-DC转换器中的同步整流。
信号处理：模拟开关、多路复用器。
便携设备：电池管理系统、电源路径管理。
其互补集成设计节省PCB面积，简化布局，适合空间受限的便携设备和工业控制应用。选型时需注意热管理，确保总功耗不超过封装限制。
