RST6020AQ
RST6020AQ 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN3.3*3.3
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 20
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 20
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 23
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 25
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 973.2
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 20
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6020AQ 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 20A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 60A。导通电阻 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V（典型 24mΩ），< 40mΩ @ VGS=4.5V（典型 30mΩ）。最大功耗 PD = 20W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~150℃，结到壳热阻 RθJC = 6.3℃/W。采用紧凑型 DFN3.3x3.3-8L 封装，底部大面积散热焊盘，适合高密度表面贴装应用。100% 雪崩测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.2~2.5V（ID=250μA），典型值 1.6V。输入电容 CISS = 973.2pF（典型），输出电容 COSS = 61.2pF，反向传输电容 CRSS = 58.8pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 7ns，上升时间 tr = 20ns，关断延迟 td(off) = 16ns，下降时间 tf = 23ns。总栅极电荷 Qg = 25nC（VDS=30V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 4.5nC，栅漏电荷 Qgd = 6.5nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=10A），反向恢复时间 trr = 29ns，反向恢复电荷 Qrr = 49nC。单脉冲雪崩能量 EAS = 72mJ。
■ DFN 封装与超紧凑高功率密度
RST6020AQ 采用 DFN3.3x3.3-8L 封装，在仅 3.3mm x 3.3mm 的占板面积上实现了 20A 通流能力和 20W 功耗。6.3℃/W 的结到壳热阻配合底部大面积散热焊盘，确保在紧凑空间内有效散热。低栅极电荷（25nC）和快速开关速度使其在高频应用中损耗极低。该器件是 60V 等级中功率密度最高的封装之一，适合对 PCB 面积有极致要求的高性能电源应用。
■ 典型应用场景
RST6020AQ 凭借 60V 耐压、20A 通流和 DFN3.3x3.3 超紧凑封装，适用于以下极致功率密度应用：
• 功率开关：紧凑型 DC-DC 转换器、负载点电源（POL），超小封装节省 PCB 面积。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，低损耗适合高频工作。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，紧凑设计适合模块化电源。
• 负载开关：便携设备、网络设备的电源路径管理，DFN 封装适合自动化生产。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 以充分发挥低导通电阻优势；DFN 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。
