RST6020A
RST6020A 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-220
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 20
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 21
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 25
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 25.5
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 31
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 500
- QG(nC):
- 25
- PD(W):
- 30
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6020A 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 20A（Tc=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 60A。导通电阻 RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=10V（典型 24mΩ），< 40mΩ @ VGS=4.5V（典型 30mΩ）。最大功耗 PD = 45W（Tc=25℃），工作结温范围 -55~175℃，结到壳热阻 RθJC = 3.3℃/W。采用 TO-220-3L 通孔封装，便于散热器安装，适合高功率应用。100% 雪崩测试和 100% dV/dt 测试保证器件可靠性，符合 RoHS 和无铅标准。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 1.2~2.5V（ID=250μA），典型值 1.6V。输入电容 CISS = 590pF（典型），输出电容 COSS = 70pF，反向传输电容 CRSS = 64pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 6.1ns，关断延迟 td(off) = 17ns，下降时间 tf = 3ns，开关速度极快。总栅极电荷 Qg = 25.3nC（VDS=30V，ID=10A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 4.7nC，栅漏电荷 Qgd = 6.1nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=20A），反向恢复时间 trr = 29.5ns，反向恢复电荷 Qrr = 50nC。单脉冲雪崩能量 EAS = 72mJ。
■ TO-220 封装与高功率应用优势
RST6020A 采用 TO-220-3L 通孔封装，便于通过散热器直接散热，3.3℃/W 的结到壳热阻配合 45W 功耗能力和 175℃ 最高结温，确保在大电流工况下长期稳定运行。低栅极电荷（25.3nC）和快速开关速度使其在高频应用中开关损耗极低。100% 雪崩测试保障了器件在感性负载开关和异常工况下的可靠性。该器件在导通电阻、开关速度和热性能之间实现了优秀平衡，适合对效率和可靠性要求较高的工业应用。
■ 典型应用场景
RST6020A 凭借 60V 耐压、20A 通流和 TO-220 封装，适用于以下高功率应用：
• 功率开关：服务器电源、通信电源的 DC-DC 转换和同步整流，低 RDS(ON) 提升效率。
• 高频开关电路：PWM 控制器、高频逆变器，快速开关降低开关损耗。
• 不间断电源（UPS）：逆变器和旁路开关，高雪崩能力适应电网波动。
• 电机驱动：工业电机、电动工具的驱动电路，TO-220 封装便于散热。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 以充分发挥低导通电阻优势；TO-220 封装需配合散热器，确保结温不超过 175℃。
