RST6003Y
RST6003Y 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-23
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 3
- VTH(V):
- 1.2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 78
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 105
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 95
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 125
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 510
- QG(nC):
- 14.6
- PD(W):
- 1.7
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST6003Y 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 3A，脉冲漏极电流 IDM = 10A。导通电阻 RDS(ON) < 105mΩ @ VGS=10V（典型 78mΩ），< 125mΩ @ VGS=4.5V（典型 95mΩ），支持 2.5V 低压逻辑驱动。最大功耗 PD = 1.7W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 73.5℃/W。采用 SOT-23-3L 表面贴装封装，卷带包装（180mm 卷盘，3000 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准，适合高密度贴装。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 0.8~2.0V（ID=250μA），典型值 1.3V，较低的阈值电压使其在低压逻辑驱动下更易导通。输入电容 CISS = 510pF（典型），输出电容 COSS = 34pF，反向传输电容 CRSS = 26pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 15ns，下降时间 tf = 10ns（VDD=30V，ID=3A，VGS=10V）。总栅极电荷 Qg = 14.6nC（VDS=30V，ID=3A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 1.6nC，栅漏电荷 Qgd = 3nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=3A）。
■ 低压驱动与微型封装优势
RST6003Y 与 RST6003 参数基本一致，但阈值电压下限更低（0.8V vs 1.0V），在超低压驱动场景下更具优势。支持 2.5V 栅极驱动电压，可由低压 MCU 直接驱动，无需电平转换。SOT-23 微型封装使其成为空间受限应用的理想选择，适合便携式电子设备。60V 耐压使其适用于多串锂电池保护电路。快速开关时间和低栅极电荷使其在 DC-DC 转换器中也表现良好。该器件在微型封装、低压驱动和较高耐压之间实现了优秀平衡。
■ 典型应用场景
RST6003Y 凭借 60V 耐压、低压驱动和微型封装，适用于以下空间受限的应用：
• 电池保护：多串锂电池组（电动工具、吸尘器、储能系统）的保护板，超低阈值电压兼容 2.5V 逻辑。
• DC-DC 转换器：小功率降压、升压转换器，低压驱动简化控制电路设计。
• 负载开关：便携设备的电源路径管理、热插拔电路，SOT-23 节省 PCB 面积。
• 逻辑电平转换：1.8V/2.5V/3.3V 逻辑到功率级的电平转换和驱动。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥2.5V 可保证导通；SOT-23 封装需注意 PCB 散热，确保结温不超过 150℃。
