RST55P04S
RST55P04S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P+P
- ID(A):
- -4
- VTH(V):
- -2.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 66
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 75
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1450
- QG(nC):
- 26
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST55P04S 是一款采用 SOP-8 表面贴装封装的高性能 P 沟道功率 MOSFET，专为中等功率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = -55V，连续漏极电流 ID = -4A（TC=100℃ 时 -2.8A），脉冲漏极电流 IDM = -25A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 3W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOP-8 封装结到环境热阻 RθJA = 42℃/W，适用于紧凑型设计，如电源开关、DC-DC 转换器等。
■ 关键电气参数
RST55P04S 的导通电阻典型值在 VGS=-10V、ID=-4A 时为 66mΩ，最大值 82mΩ，低 RDS(on) 可有效降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 -2.6V（ID=-250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 1450pF，输出电容 COSS = 145pF，反向传输电容 CRSS = 110pF（VDS=-25V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 9ns，关断延迟时间 td(off) = 65ns，下降时间 tf = 30ns（VDD=-30V、ID=-4A、VGS=-10V、RGEN=6Ω）。总栅极电荷 Qg = 26nC，栅源电荷 Qgs = 4.5nC，栅漏电荷 Qgd = 7nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=-4A）。
■ 热设计与可靠性
SOP-8 封装热阻 θJA 为 42℃/W（在 1in² FR-4 PCB 上），设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率 3W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST55P04S 凭借 -55V 耐压和低 RDS(on)，广泛应用于以下场景：
电源开关应用：用于 DC-DC 转换器、开关电源中的功率开关。
硬开关和高频电路：适用于高频开关电路和功率因数校正（PFC）。
DC-DC 转换器：适用于升压/降压转换器中的高侧开关。
负载开关：用于便携设备和电池供电系统中的负载切换。
电源管理：用于低压 DC-DC 转换器中的功率级。
综上，瑞斯特 RST55P04S 以 SOP-8 封装和低 RDS(on)，为中等功率开关应用提供高性价比方案。
