RST5015S
RST5015S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 15
- VTH(V):
- 1.2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 5.7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 7.6
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 6.7
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 8.6
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 4100
- QG(nC):
- 93
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST5015S 是一款采用先进沟槽工艺的 N沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 12A（Tc=25℃，实际为 15A 规格），脉冲漏极电流 IDM = 30A。导通电阻 RDS(ON) < 7.6mΩ @ VGS=10V（典型 5.7mΩ），< 8.0mΩ @ VGS=4.5V（典型 6.3mΩ），处于业界领先水平。最大功耗 PD = 3W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 42℃/W。采用 SOP-8 表面贴装封装，卷带包装（330mm 卷盘，2500 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = 0.9~1.8V（ID=250μA），典型值 1.2V。输入电容 CISS = 4100pF（典型），输出电容 COSS = 298pF，反向传输电容 CRSS = 229pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 8.5ns，上升时间 tr = 7ns，关断延迟 td(off) = 40ns，下降时间 tf = 15ns。总栅极电荷 Qg = 93nC（VDS=30V，ID=12A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 9.7nC，栅漏电荷 Qgd = 20nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=15A），反向恢复时间 trr = 32ns，反向恢复电荷 Qrr = 45nC。跨导 gFS = 40S（VDS=5V，ID=12A）。
■ 超低导通电阻与高功率密度
RST5015S 以 5.7mΩ 的典型导通电阻（VGS=10V）为最大亮点，在 SOP-8 封装中实现了 60V 耐压下的极低功率损耗。低栅漏电荷（Qgd=20nC）有效减少了米勒效应，降低了开关损耗。42℃/W 的热阻配合 3W 功耗能力，在 SOP-8 封装中实现了 12A 连续电流，功率密度极高。60V 耐压覆盖 12V/24V/36V/48V 系统，提供充足安全裕量。该器件在高电压等级下仍保持了超低导通电阻，是高效率电源转换的理想选择。
■ 典型应用场景
RST5015S 凭借 60V 耐压、超低导通电阻和高功率密度，适用于以下高效电源转换应用：
• 同步整流：服务器电源、通信电源的同步整流 MOSFET，超低 RDS(ON) 提升效率。
• DC-DC 转换器：负载点电源（POL）、48V 降压转换器，适应中等电流需求。
• 负载开关：工业设备、网络设备的电源路径管理，低功耗设计。
• PoE 供电设备：以太网供电（PoE）PD 和 PSE 设备中的功率开关。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 以充分发挥低导通电阻优势；SOP-8 封装需良好 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。
