RST4C06

■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST4C06 是一款采用 SOT-23-6 封装的双沟道互补 MOSFET，内部集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道增强型 MOSFET，专为直流电机控制等半桥应用而优化。主要额定参数：N 沟道 - 漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 4.2A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 12.6A；P 沟道 - 漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -3.8A，脉冲电流 IDM = -11.4A。栅源电压均为 ±20V。耗散功率 PD = 2.1W（每个沟道独立），结温范围 -55℃ ~ +150℃，热阻 θJA = 60℃/s（t≤10s），稳态 100℃/W。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备 ESD 保护能力。SOT-23-6 封装在紧凑空间内集成了两个互补 MOSFET，非常适合 H 桥或电机驱动电路。

■ 关键电气参数
N 沟道：导通电阻典型值 RDS(on) = 75mΩ（VGS=10V、ID=4.2A），最大值未给出；VGS=4.5V 时为 95mΩ。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 0.7V~1.3V。P 沟道：导通电阻典型值 RDS(on) = 165mΩ（VGS=-10V、ID=-3.8A），VGS=-4.5V 时为 200mΩ。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.7V~-1.3V。动态参数：输入电容 CISS 约 270pF（N 沟道）和 350pF（P 沟道），输出电容 COSS 约 30pF（N 沟道）和 50pF（P 沟道）。总栅极电荷 Qg 约 3.5nC（N 沟道，VGS=4.5V）和 6nC（P 沟道）。体二极管正向压降 VSD：N 沟道约 0.8V，P 沟道约 -0.9V。互补特性使其在逻辑电平驱动下可构成简单的半桥或全桥驱动电路。

■ 热设计与可靠性
SOT-23-6 封装热阻 θJA 稳态为 100℃/W（基于 1in² 铜箔），在 25℃ 环境下每个沟道最大耗散功率 2.1W。实际应用中建议将两个沟道的源极和漏极焊盘连接到足够面积的铜箔，并注意整体散热。器件符合 RoHS 标准，可承受 260℃ 回流焊。100% UIS 测试保证了其在感性负载开关中的可靠性。

■ 主要应用领域
RST4C06 凭借双沟道互补特性和 60V 耐压，广泛适用于以下场景：

• 直流电机控制：用于小型直流有刷电机的 H 桥驱动电路，实现正反转和调速。

• 半桥驱动：作为同步 buck 转换器的上下管，简化电路设计。

• 电源多路复用器：实现双电源输入自动切换。

• 逻辑电平转换：利用互补特性实现双向电平转换。

• 电池保护电路：用于单节锂电池的充放电保护，N 沟道用于放电，P 沟道用于充电。

综上，瑞斯特 RST4C06 以 SOT-23-6 封装、60V 互补 MOSFET 和低 RDS(on)，成为直流电机控制和半桥应用的理想选择。