RST4953
RST4953 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P+P
- ID(A):
- -5.1
- VTH(V):
- -1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 43
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 55
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 62
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 90
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 520
- QG(nC):
- 11
- PD(W):
- 2.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4953 是一款采用先进沟槽工艺的 P沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -5.1A，脉冲漏极电流 IDM = -20A。导通电阻 RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V，< 90mΩ @ VGS=-4.5V，确保在 4.5V 驱动下仍保持低导通损耗。最大功耗 PD = 2.5W，工作结温范围 -55~150℃，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W。采用 SOP-8 表面贴装封装，卷带包装（330mm 卷盘，2500 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准。
■ 核心电气参数与动态性能
阈值电压 VGS(th) = -1.1~-2.1V（ID=-250μA）。输入电容 CISS = 520pF（典型），输出电容 COSS = 130pF，反向传输电容 CRSS = 70pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 7ns，上升时间 tr = 13ns，关断延迟 td(off) = 14ns，下降时间 tf = 9ns（VDD=-15V，ID=-1A，VGS=-10V）。总栅极电荷 Qg = 11nC（VDS=-15V，ID=-5.1A，VGS=-10V），栅源电荷 Qgs = 2.2nC，栅漏电荷 Qgd = 3nC。体二极管正向压降 VSD = -1.2V（IS=-5.1A）。跨导 gFS = 47S（VDS=-15V，ID=-4.5A），高跨导保证了优异的线性放大特性。
■ 低导通电阻与高效散热
RST4953 在 VGS=-10V 下典型导通电阻仅 43mΩ，VGS=-4.5V 下典型 62mΩ，在全工作电压范围内保持低功耗。50℃/W 的结到环境热阻在 SOP-8 封装中表现优异，配合 2.5W 最大功耗，适合中等功率密度的应用。快速开关时间（下降时间仅 9ns）和低栅极电荷（11nC）使其在高频 PWM 应用中开关损耗极低。该器件在导通电阻、开关速度和功耗之间取得了良好平衡，是通用 P沟道负载开关和电源管理应用的可靠选择。
■ 典型应用场景
RST4953 凭借 -30V 耐压、低导通电阻和快速开关，适用于以下通用电源管理和负载开关应用：
• 负载开关：笔记本电脑、平板电脑、便携设备的电源路径管理和负载切换。
• PWM 应用：DC-DC 转换器、稳压器，高频开关降低损耗。
• 电源管理：电池充电电路、系统电源分配，低 RDS(ON) 提升效率。
• 逻辑电平转换：3.3V/5V 逻辑到功率级的电平转换和驱动。
选型时注意 VGS 驱动电压 ≥4.5V 可保证低导通电阻；SOP-8 封装需注意 PCB 散热，确保结温不超过 150℃。
