RST4826G

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4826G 是一款双 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOP8 封装，专为工业 DC/DC 转换器等电源管理应用设计。该器件集成了两个独立的 N 沟道 MOSFET，每个通道额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 9A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 27A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST4826G 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOP8 封装提供良好的散热和电流能力。

■ 关键电气参数
每个通道的导通电阻典型值 RDS(on) = 15mΩ（VGS=10V, ID=6.3A），最大 20mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 20mΩ，最大 25mΩ。极低的导通电阻使器件在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~3.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 730pF，输出电容 COSS 约 140pF，反向传输电容 CRSS 约 30pF（VDS=25V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 15.6nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 4.5nC，适合高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RST4826G 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2W，TA=70℃ 时降额至 1.28W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W，稳态热阻 110℃/W（基于 1in² 铜箔），结到壳热阻 40℃/W。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST4826G 凭借双通道 60V 耐压和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 工业 DC/DC 转换器：双路同步整流或电源转换。

• 电源管理模块：用于分布式电源系统的负载开关。

• 电机驱动：双路电机控制。

• 负载开关：在 48V 系统中实现低损耗电源路径管理。

瑞斯特 RST4826G 以 SOP8 封装提供双 N 沟道高性能，为工业与消费电子提供高效、紧凑的功率开关方案。