RST4688

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4688 是一款采用先进沟槽工艺的互补增强型 MOSFET 对管，在 SOP-8 封装内集成 N沟道和 P沟道功率 MOSFET，适用于 60V 较高电压等级的应用。N沟道参数：VDS = 60V，ID = 6.3A，RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=10V。P沟道参数：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=-10V。最大功耗 PD = 2W，工作结温范围 -55~150℃。SOP-8 表面贴装封装，卷带包装（330mm 卷盘，2500 片/盘），符合 RoHS 和无铅标准，适合高密度贴装。

■ 核心电气参数与动态性能
N沟道阈值电压 VGS(th) = 1.5~3.0V（ID=250μA），输入电容 CISS = 1150pF，输出电容 COSS = 135pF，反向传输电容 CRSS = 78pF。开关时间：开通延迟 td(on) = 8ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 37ns，下降时间 tf = 27ns。总栅极电荷 Qg = 24nC（VDS=30V，ID=5A，VGS=10V）。P沟道阈值电压 VGS(th) = -1.5~-3.5V（ID=-250μA），输入电容 CISS = 1450pF，输出电容 COSS = 145pF，反向传输电容 CRSS = 110pF。P沟道总栅极电荷 Qg = 26nC（VDS=-30V，ID=-5A，VGS=-10V）。体二极管：N沟道 VSD = 1.2V（IS=5A），P沟道 VSD = -1.2V（IS=-5A）。

■ 高压互补集成优势
RST4688 是 60V 等级互补 MOSFET 对管的优选方案，N沟道 30mΩ 和 P沟道 80mΩ 的导通电阻在同类 60V 产品中表现均衡。60V 耐压使其适用于更高电压的工业总线（如 48V 系统）和 PoE 供电应用。互补集成在单一封装中简化了 PCB 布局，减少了寄生电感，有助于提升开关性能。150℃ 工作结温配合 SOP-8 封装，适合在较高环境温度下长期运行。该对管在 60V 等级下仍保持了较低的栅极电荷，有利于提升高频开关效率。

■ 典型应用场景
RST4688 凭借 60V 耐压、互补集成和中等电流能力，适用于以下较高电压的紧凑型应用：
• PoE 供电设备：以太网供电（PoE）PD 和 PSE 设备中的高端开关和电平转换。
• 48V 工业电源：工业控制总线电源管理、热插拔电路，N/P 沟道配对简化设计。
• 电机驱动：小功率直流电机 H桥驱动、风扇控制，适应较高电压母线。
• 通信设备电源：基站电源、网络设备负载开关，60V 耐压提供充足安全裕量。
选型时注意 VGS 驱动电压建议 ≥10V 以充分发挥低导通电阻优势；SOP-8 封装需注意 PCB 散热设计，确保结温不超过 150℃。