RST4614SM

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4614SM 是一款集成了 N 沟道和 P 沟道增强型功率MOSFET 的双通道器件，采用 SOP8 封装，专为同步整流、电机控制、风扇预驱动 H 桥等应用设计。N 沟道额定 VDS = 40V，连续电流 ID = 10A（TA=25℃）；P 沟道额定 VDS = -40V，连续电流 ID = -5.5A（TA=25℃）。栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。

■ 关键电气参数
N 沟道：RDS(on) = 16mΩ（典型，VGS=10V, ID=10A），VGS=4.5V 时典型值为 18mΩ。P 沟道：RDS(on) = 30mΩ（典型，VGS=-10V, ID=-5.5A），VGS=-4.5V 时典型值为 46mΩ。极低的导通电阻使器件在高电流下损耗极低。阈值电压 N 沟道 1.5~2.3V，P 沟道 -1.5~-2.3V。动态参数方面，N 沟道输入电容 CISS 约 400pF，输出电容 COSS 约 70pF，反向传输电容 CRSS 约 40pF（VDS=15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg N 沟道约 4nC（4.5V），P 沟道约 10nC（10V），适合高频开关。栅极电阻 N 沟道约 1.5Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST4614SM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2W（每通道），TA=70℃ 时降额至 1.3W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W，稳态热阻 110℃/W（基于 1in² 铜箔），结到引线热阻 50℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST4614SM 凭借高电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 同步整流：在 DC-DC 转换器中同时提供高低侧开关。

• 电机控制：用于 H 桥驱动电路中的功率级。

• 风扇预驱动 H 桥：用于散热风扇驱动。

• 高电流高速开关：如电源模块中的功率开关。

瑞斯特 RST4614SM 以 SOP8 紧凑封装提供双通道高性能，为高功率密度应用提供集成化的功率开关方案。