RST4606SM
RST4606SM 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4606SM 是一款集成了 N 沟道和 P 沟道增强型功率MOSFET 的双通道器件，采用 SOP-8 封装，专为工业 DC/DC 转换器等电源管理应用设计。N 沟道额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 7.2A（TA=25℃）；P 沟道额定 VDS = -30V，连续电流 ID = -6.8A（TA=25℃）。栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。SOP-8 封装提供良好的散热和电流能力，适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
N 沟道：RDS(on) = 18.7mΩ（典型，VGS=10V, ID=7.2A），最大 28mΩ；VGS=4.5V 时典型值为 24.8mΩ，最大 36mΩ。P 沟道：RDS(on) = 42mΩ（典型，VGS=-10V, ID=-6.3A），最大 52mΩ；VGS=-4.5V 时典型值为 55mΩ，最大 65mΩ。阈值电压 N 沟道 1.0~2.6V，P 沟道 -1.0~-2.4V。动态参数方面，N 沟道输入电容 CISS 典型值 373pF，输出电容 COSS 约 67pF，反向传输电容 CRSS 约 41pF（VDS=15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg N 沟道典型值 3.5nC（VGS=4.5V），P 沟道约 6.7nC（VGS=-4.5V），适合高频开关。栅极电阻 N 沟道 1.8Ω，P 沟道 3.2Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST4606SM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2W（每通道），TA=70℃ 时降额至 1.3W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W，稳态热阻 90℃/W（基于 1in² 铜箔），结到引线热阻 50℃/W。器件经过 UIS 测试，N 沟道雪崩电流 IAS = 7.2A（L=0.5mH），P 沟道 11A，确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST4606SM 凭借双通道集成和高性能，广泛适用于以下应用：
工业 DC/DC 转换器：同步整流或双路电源转换。
电机控制：用于 H 桥驱动电路中的功率级。
高电流高速开关：如服务器电源模块中的功率开关。
便携设备电源管理：电池充放电保护电路。
瑞斯特 RST4606SM 以 SOP-8 紧凑封装提供双通道高性能，为高功率密度应用提供集成化的功率开关方案。
