RST4503S
RST4503S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 10
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 7.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 13.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 13
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 20
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1550
- QG(nC):
- 13
- PD(W):
- 2.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST4503S 是一款采用先进沟槽工艺技术的互补（N沟道和P沟道）功率MOSFET，集成在单一 SOP-8 表面贴装封装中，专为电池保护、负载开关和电源管理等应用设计。N沟道主要参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 10A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 13.5mΩ（VGS=10V，典型值7.5mΩ），RDS(ON) < 20mΩ（VGS=4.5V，典型值11mΩ）。P沟道主要参数：漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -9.1A（TA=25℃），导通电阻 RDS(ON) < 20mΩ（VGS=-10V，典型值15mΩ），RDS(ON) < 35mΩ（VGS=-4.5V，典型值21mΩ）。封装结到环境热阻 50℃/W，最大功率耗散 2.5W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品。
■ 关键电气参数（N沟道）
N沟道典型阈值电压 VGS(th) = 1.6V（ID=250μA），输入电容 Ciss = 1550pF，输出电容 Coss = 300pF，反向传输电容 Crss = 180pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 30ns，上升时间 tr = 20ns，关断延迟 td(off) = 100ns，下降时间 tf = 80ns。总栅极电荷 Qg = 13nC（VDS=15V，ID=10A，VGS=4.5V），体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 关键电气参数（P沟道）
P沟道典型阈值电压 VGS(th) = -1.5V（ID=-250μA），输入电容 Ciss = 1600pF，输出电容 Coss = 350pF，反向传输电容 Crss = 300pF。开关特性：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 110ns，下降时间 tf = 70ns。总栅极电荷 Qg = 30nC，体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 主要应用领域
RST4503S 适用于需要互补器件的紧凑型电源管理应用：
电池保护：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
负载开关：便携式设备中的负载切换、电源路径管理。
电源管理：DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：便携设备的电源管理。
其互补集成设计节省PCB面积，简化布局，适合空间受限的便携设备和工业控制应用。选型时需注意热管理，确保总功耗不超过封装限制。
