RST4468YD

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4468YD 是一款 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOP8 封装，专为工业 DC/DC 转换器等电源管理应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 13A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = 39A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST4468YD 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。

■ 关键电气参数
RST4468YD 的导通电阻典型值 RDS(on) = 7.5mΩ（VGS=10V, ID=13A），最大 9.5mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 11mΩ，最大 14mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~2.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 770pF，输出电容 COSS 约 110pF，反向传输电容 CRSS 约 90pF（VDS=25V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 11.6nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 3.9nC，适合高频开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RST4468YD 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 2.8W，TA=70℃ 时降额至 1.8W。结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST4468YD 凭借 30V 耐压、13A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 工业 DC/DC 转换器：作为低压侧开关或同步整流管。

• 电源管理模块：用于分布式电源系统的负载开关。

• 电池保护电路：在便携设备中实现过流保护。

• 电机驱动：中功率电机控制中的低侧驱动。

瑞斯特 RST4468YD 以 SOP8 封装提供 30V/13A 的 N 沟道高性能，为工业与消费电子提供高效、紧凑的功率开关方案。