RST4443SM

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4443SM 是一款高压 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOP-8 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V，连续漏极电流 ID = -6.6A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -19.8A（估计），栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST4443SM 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求。

■ 关键电气参数
RST4443SM 的导通电阻典型值 RDS(on) = 55mΩ（VGS=-10V, ID=-4A），最大 60mΩ；在 VGS=-4.5V 时典型值为 75mΩ，最大 82mΩ。较高电流能力下保持较低导通电阻。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.0~-3.0V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 954pF，输出电容 COSS 约 58pF，反向传输电容 CRSS 约 42pF（VDS=-30V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 17.5nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 3.6nC，适合中高频开关。

■ 热管理与可靠性设计
RST4443SM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 3.1W，结到环境热阻 RθJA = 40℃/W，结到壳热阻 RθJC = 24℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST4443SM 凭借 -60V 耐压、-6.6A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：系统负载开关，用于高压大电流外设。

• 便携设备电池管理：电池隔离开关，支持低损耗。

• 负载开关：在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• DC-DC 转换器：高压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST4443SM 以 SOP-8 封装提供 -60V/-6.6A 的 P 沟道高性能，为高压便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。