RST444

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST444 是一款采用 TO-252-2（DPAK）封装的 N 沟道增强型功率MOSFET，专为执行器开关、LED电视转换器和工业开关应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 20A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 60A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST444 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性，MSL1 等级适合严苛贴装环境。TO-252-2 封装提供良好的散热和电流承载能力，适合中等功率到高功率应用，满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST444 的导通电阻典型值 RDS(on) = 26mΩ（VGS=10V, ID=10A），最大 30mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 33mΩ，最大 38mΩ。较低的导通电阻在 60V 耐压下实现了良好的效率。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1~3V（ID=250μA），兼容 3.3V/5V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 950pF，输出电容 COSS 约 80pF，反向传输电容 CRSS 约 35pF（VDS=30V, f=1MHz），较低的电容有助于减少开关损耗。栅极电荷 Qg 典型值 6.3nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 0.8nC，使其在 100kHz~1MHz 开关频率下具备快速开关能力。栅极电阻典型值 1.5Ω。体二极管反向恢复特性优良。

■ 热管理与可靠性设计
RST444 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 31.2W，TC=100℃ 时降额至 12.5W。结到外壳热阻 RθJC = 4℃/W，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W（表面贴装于 1in² 铜箔）。TO-252-2 封装的散热焊盘需可靠焊接至 PCB 铜箔。器件经过 100% UIS 测试，雪崩能量 EAS = 25mJ（L=0.5mH, IAS=10A），确保在感性负载条件下的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。

■ 典型应用场景
RST444 凭借 60V 耐压、20A 电流能力和低 RDS(on)，广泛适用于以下应用：

• 执行器开关：用于工业自动化、机器人等执行器的驱动开关。

• LED 电视转换器：在 LED 电视电源中作为 DC-DC 转换器开关。

• 工业开关：在工业控制系统中作为负载开关或电源管理开关。

• 电机驱动：驱动中小功率直流电机或 BLDC 电机。

瑞斯特 RST444 以 TO-252-2 封装提供 60V/20A 的高性能，为工业开关和电源转换提供可靠的 N 沟道解决方案。