RST4435X
RST4435X 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -10
- VTH(V):
- -1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 19
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 19
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 30
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1400
- QG(nC):
- 32
- PD(W):
- 3
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST4435X 是一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道增强型功率MOSFET，专为PWM应用、负载开关和电源管理等应用设计，支持低至4.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -10A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = -40A，导通电阻 RDS(ON) < 19mΩ（VGS=-10V，典型值14mΩ），RDS(ON) < 30mΩ（VGS=-4.5V，典型值19mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 41.67℃/W，最大功率耗散 3W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，单脉冲雪崩能量 EAS = 165mJ，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST4435X 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = -1.6V（ID=-250μA），正向跨导 gFS = 20S（VDS=-5V，ID=-10A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1400pF，输出电容 Coss = 186pF，反向传输电容 Crss = 164pF（VDS=-15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 8.5ns，上升时间 tr = 9.5ns，关断延迟 td(off) = 26ns，下降时间 tf = 8ns。总栅极电荷 Qg = 32.2nC（VDS=-15V，ID=-10A，VGS=-10V），栅源电荷 Qgs = 4.8nC，栅漏电荷 Qgd = 7.9nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST4435X 结到环境热阻 41.67℃/W，配合 SOP-8 封装良好的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 165mJ（Tj=25℃），器件经雪崩电压和电流全特性表征。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型14mΩ），SOP-8封装适合高密度板级组装，适用于PWM应用、负载开关和电源管理。
■ 主要应用领域
RST4435X 适用于中压P沟道开关应用：
PWM应用：PWM控制电路中的P沟道功率开关。
负载开关：便携式设备中的高侧负载切换、电源路径管理。
电源管理：中压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：便携设备的电源管理。
其-30V耐压、-10A电流能力和超低导通电阻（典型14mΩ），配合SOP-8封装，适合需要高效率和良好散热能力的中压P沟道应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
