RST4435
RST4435 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- P
- ID(A):
- -9.1
- VTH(V):
- -1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 16
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 20
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 21
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 35
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1600
- QG(nC):
- 30
- PD(W):
- 3.1
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST4435 是一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道增强型功率MOSFET，专为电池开关、负载开关和电源管理等应用设计，支持低至4.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -9.1A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = -50A，导通电阻 RDS(ON) < 20mΩ（VGS=-10V，典型值16mΩ），RDS(ON) < 35mΩ（VGS=-4.5V，典型值21mΩ）。采用 SOP-8 表面贴装封装，结到环境热阻 40℃/W，结到引线热阻 24℃/W，最大功率耗散 3.1W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST4435 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = -1.5V（ID=-250μA），正向跨导 gFS = 10S（VDS=-15V，ID=-9.1A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1600pF，输出电容 Coss = 350pF，反向传输电容 Crss = 300pF（VDS=-15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 10ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 110ns，下降时间 tf = 70ns。总栅极电荷 Qg = 30nC（VDS=-15V，ID=-9.1A，VGS=-10V），栅源电荷 Qgs = 5.5nC，栅漏电荷 Qgd = 8nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST4435 结到环境热阻 40℃/W（1in² FR-4板，2oz铜），配合 SOP-8 封装良好的散热能力。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型16mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOP-8封装适合高密度板级组装，适用于电池开关、负载开关和电源管理应用。
■ 主要应用领域
RST4435 适用于中压P沟道开关应用：
电池开关：锂电池保护电路中的高侧充放电保护开关。
负载开关：便携式设备中的高侧负载切换、电源路径管理。
电源管理：中压DC-DC转换器、稳压器中的功率开关。
消费电子：便携设备的电源管理。
其-30V耐压、-9.1A电流能力和超低导通电阻（典型16mΩ），配合SOP-8封装，适合需要高效率和良好散热能力的中压P沟道应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
