RST4421MPS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4421MPS 是一款高压 P 沟道增强型功率MOSFET,采用 SOP-8 封装,专为 DC/DC 转换器、电源管理、负载开关和电机驱动等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -60V,连续漏极电流 ID = -8A(TA=25℃),脉冲电流 IDM = -38.8A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST4421MPS 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。
■ 关键电气参数
RST4421MPS 的导通电阻典型值 RDS(on) = 18mΩ(VGS=-10V, ID=-8A),最大 23mΩ;在 VGS=-4.5V 时典型值为 20mΩ,最大 25mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.3~-2.3V(ID=-250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 1416pF,输出电容 COSS 约 142pF,反向传输电容 CRSS 约 85pF(VDS=-30V, f=1MHz)。栅极电荷 Qg 典型值 15.6nC(VGS=-4.5V),米勒电荷 Qgd 约 6.8nC,适合高频开关。栅极电阻典型值 8Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST4421MPS 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.56W,TA=70℃ 时降额至 1W。结到环境热阻 RθJA = 80℃/W(基于 1in² 铜箔)。器件经过 UIS 测试,单脉冲雪崩能量 EAS = 72mJ(L=0.5mH),确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST4421MPS 凭借 -60V 耐压、-8A 电流能力和超低导通电阻,广泛适用于以下应用:
DC/DC 转换器:48V 母线转换中的主开关,效率更高。
电源管理:高压负载开关,损耗更低。
负载开关:在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。
电机驱动:中高压电机控制。
瑞斯特 RST4421MPS 以 SOP-8 封装提供 -60V/-8A 的 P 沟道高性能,为高压应用提供高效、低损耗的功率开关方案。