RST4407LD

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4407LD 是一款 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOP-8 封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -13A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -60A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST4407LD 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。

■ 关键电气参数
RST4407LD 的导通电阻典型值 RDS(on) = 10mΩ（VGS=-10V, ID=-13A），最大 13mΩ；在 VGS=-4.5V 时典型值为 16mΩ（最大值未给出）。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.0~-2.2V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 1550pF，输出电容 COSS 约 315pF，反向传输电容 CRSS 约 245pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 31nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 10nC，适合高频开关。栅极电阻典型值 2Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST4407LD 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 3.1W，TA=70℃ 时降额至 2W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 40℃/W，稳态热阻 75℃/W（基于 1in² 铜箔），结到引线热阻 24℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 101mJ（L=0.3mH），确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST4407LD 凭借 -30V 耐压、-13A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：系统负载开关，用于大电流外设。

• 便携设备电池管理：电池隔离开关，支持低损耗。

• 负载开关：在 12V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• DC-DC 转换器：低压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST4407LD 以 SOP-8 封装提供 -30V/-13A 的 P 沟道高性能，为便携与工业设备提供高效、紧凑的功率开关方案。