RST4264DS 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4264DS 是一款 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 SOP-8 封装,专为次级侧同步整流、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 60V,连续漏极电流 ID = 12A(TA=25℃),脉冲电流 IDM = 40A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST4264DS 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。
■ 关键电气参数
RST4264DS 的导通电阻典型值 RDS(on) = 8.3mΩ(VGS=10V, ID=4A),最大 12mΩ;在 VGS=4.5V 时典型值为 10.5mΩ,最大 13.7mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~3.0V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 1225pF,输出电容 COSS 约 235pF,反向传输电容 CRSS 约 30pF(VDS=30V, f=1MHz)。栅极电荷 Qg 典型值 9.7nC(VGS=4.5V),米勒电荷 Qgd 约 2.8nC,适合高频开关。栅极电阻典型值 1.5Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST4264DS 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.78W,TA=70℃ 时降额至 1.14W。稳态结到环境热阻 RθJA = 70℃/W(基于 1in² 铜箔)。器件经过 UIS 测试,单脉冲雪崩能量 EAS = 64mJ(L=0.5mH),确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST4264DS 凭借 60V 耐压、12A 电流能力和超低导通电阻,广泛适用于以下应用:
次级侧同步整流:开关电源中的同步整流管。
DC-DC 转换器:高功率密度模块中的主开关。
电机控制:中功率无刷电机驱动。
负载开关:在 24V/48V 系统中实现低损耗电源路径管理。
瑞斯特 RST4264DS 以 SOP-8 封装提供 60V/12A 的 N 沟道高性能,为高功率应用提供高效、紧凑的功率开关方案。