RST40ND0812S
RST40ND0812S 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOP-8
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench双芯
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+N
- ID(A):
- 12
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 11.7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 14
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 15.6
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 20
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1780
- QG(nC):
- 38.2
- PD(W):
- 2.5
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST40ND0812S 是一款采用 SOP-8 表面贴装封装的双 N 沟道功率 MOSFET，内部集成了两个独立的 N 沟道器件，为紧凑型功率转换应用提供了高度集成的解决方案。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：N1 沟道连续漏极电流 ID = 8A，N2 沟道 ID = 12A（TC=100℃ 时分别为 5.7A 和 8.5A），漏源电压 VDS = 40V，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 2W/2.5W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。SOP-8 封装结到环境热阻 RθJA = 62.5℃/W（N1）/50-75℃/W（N2），适用于紧凑型设计，如电源开关、高频电路等。
■ 关键电气参数
N1 沟道导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=8A 时为 15.8mΩ，最大值 18mΩ（VGS=4.5V 时最大 28mΩ）；N2 沟道导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=10A 时为 11.7mΩ，最大值 14mΩ（VGS=4.5V 时最大 20mΩ）。栅极阈值电压典型值 N1 为 1.5V，N2 为 1.6V（ID=250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，N1 沟道输入电容 CISS = 964pF，输出电容 COSS = 109pF，反向传输电容 CRSS = 96pF（VDS=20V、f=1MHz）；N2 沟道输入电容 CISS = 1780pF，输出电容 COSS = 209pF，反向传输电容 CRSS = 160pF。总栅极电荷 N1 为 22.9nC，N2 为 38.2nC，实现快速开关。体二极管正向压降均为 1.2V，N2 反向恢复时间 trr = 29ns。
■ 热设计与可靠性
SOP-8 封装热阻 θJA 为 62.5℃/W（N1）/50-75℃/W（N2）（在 1in² FR-4 PCB 上，铜厚 2oz），设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 环境温度下最大耗散功率分别为 2W 和 2.5W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST40ND0812S 凭借双 N 沟道集成和 40V 耐压，广泛应用于以下场景：
电源开关应用：用于 DC-DC 转换器、开关电源中的功率开关。
硬开关和高频电路：适用于高频开关电路和功率因数校正（PFC）。
不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的功率开关电路。
负载开关：用于便携设备和电池供电系统中的负载切换。
电源管理：用于紧凑型电源管理系统中的功率级。
综上，瑞斯特 RST40ND0812S 以 SOP-8 封装和双 N 沟道集成优势，为紧凑型功率转换应用提供高性价比方案。
