RST40H21 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装特性
瑞斯特(RST)RST40H21 是一款采用 TO-220-3L 封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为极超高功率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术,实现了超低的导通电阻和低栅极电荷,具备优异的 ESD 能力和高雪崩耐量(EAS = 2500mJ)。主要额定参数:漏源电压 VDS = 40V,连续漏极电流 ID = 210A(TC=100℃ 时 148A),脉冲漏极电流 IDM = 840A,栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 310W,降额因子 2.07W/℃,结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-220-3L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.48℃/W,便于安装散热器,适用于不间断电源、高频开关电路等极超高功率应用。
■ 关键电气参数
RST40H21 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=20A 时为 2.3mΩ,最大值 3.2mΩ,超低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.8V(ID=250μA)。动态特性方面,输入电容 CISS = 10331pF,输出电容 COSS = 1160pF,反向传输电容 CRSS = 1045pF(VDS=25V、f=1MHz)。开关特性方面,典型开通延迟时间 td(on) = 41ns,上升时间 tr = 40ns,关断延迟时间 td(off) = 145ns,下降时间 tf = 65ns(VDD=30V、ID=20A、VGS=10V、RGEN=2.5Ω)。总栅极电荷 Qg = 239nC,栅源电荷 Qgs = 23.5nC,栅漏电荷 Qgd = 49.6nC。体二极管正向压降 VSD = 0.85V(IS=20A),反向恢复时间 trr = 55ns,反向恢复电荷 Qrr = 90nC。
■ 热设计与可靠性
TO-220-3L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.48℃/W,设计时需注意散热器选择和热界面材料。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 310W,降额因子 2.07W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试,确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求,可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST40H21 凭借 40V 耐压和 210A 超大电流能力,广泛应用于以下场景:
不间断电源(UPS):用于 UPS 系统中的功率开关和逆变电路。
硬开关和高频电路:适用于高频 DC-DC 转换器、开关电源等。
功率因数校正(PFC):作为 PFC 电路中的主开关管。
电机驱动:用于大功率电机控制器的功率级开关。
电源管理:用于高功率密度电源系统中的功率级。
综上,瑞斯特 RST40H21 以 TO-220-3L 封装和超低 RDS(on),为极超高功率开关应用提供卓越性能。