RST40H12 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特(RST)RST40H12 是一款采用 TO-220-3L 封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET,专为超高功率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术,实现了超低的导通电阻和低栅极电荷,具备优异的 ESD 能力和高雪崩耐量(EAS = 1080mJ)。主要额定参数:漏源电压 VDS = 40V,连续漏极电流 ID = 120A(TC=100℃ 时 85A),脉冲漏极电流 IDM = 330A,栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 130W,降额因子 0.87W/℃,结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-220-3L 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.15℃/W,便于安装散热器,适用于负载开关、硬开关和高频电路以及不间断电源。
■ 关键电气参数
RST40H12 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=20A 时为 3.2mΩ,最大值 4.0mΩ(VGS=4.5V 时最大 7.0mΩ),超低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.9V(ID=250μA)。动态特性方面,输入电容 CISS = 5400pF,输出电容 COSS = 970pF,反向传输电容 CRSS = 380pF(VDS=20V、f=1MHz)。开关特性方面,典型开通延迟时间 td(on) = 15ns,上升时间 tr = 18ns,关断延迟时间 td(off) = 52ns,下降时间 tf = 23ns(VDD=20V、ID=2A、VGS=10V、RGEN=3Ω)。总栅极电荷 Qg = 75nC,栅源电荷 Qgs = 10.5nC,栅漏电荷 Qgd = 17nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V(IS=40A),反向恢复时间 trr = 42ns,反向恢复电荷 Qrr = 45nC。
■ 热设计与可靠性
TO-220-3L 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.15℃/W,设计时需注意散热器选择和热界面材料。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 130W,降额因子 0.87W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试,确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求,可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST40H12 凭借 40V 耐压和 120A 超大电流能力,广泛应用于以下场景:
负载开关:用于高功率负载切换应用。
硬开关和高频电路:适用于高频 DC-DC 转换器、开关电源等。
不间断电源(UPS):用于 UPS 系统中的功率开关电路。
功率因数校正(PFC):作为 PFC 电路中的主开关管。
电机驱动:用于大功率电机控制器的功率级开关。
综上,瑞斯特 RST40H12 以 TO-220-3L 封装和超低 RDS(on),为超高功率开关应用提供卓越性能。