RST4080K

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST4080K 是一款采用先进沟槽工艺的 N 沟道增强型功率MOSFET，采用 TO-252-2L 封装，专为 PWM 负载开关等大电流应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 40V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = 350A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 175℃，存储温度范围 -55℃~175℃。RST4080K 经过 100% UIS 和 100% AVDS 测试，具备高可靠性和耐用性。TO-252-2L 封装提供优异的散热能力，适合高功率密度应用。

■ 关键电气参数
RST4080K 的导通电阻典型值 RDS(on) = 5.2mΩ（VGS=10V, ID=20A），最大 7mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 10mΩ，最大 15mΩ。极低的导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.2~2.5V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 2662pF，输出电容 COSS 约 322pF，反向传输电容 CRSS 约 246pF（VDS=20V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 54.3nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 14.5nC，适合高频大电流开关。栅极电阻未给出。

■ 热管理与可靠性设计
RST4080K 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 80W，降额因子 0.53W/℃。结到壳热阻 RθJC = 1.88℃/W。器件经过 UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 750mJ（L=1mH, IAS=42A），确保在感性负载开关中的极高可靠性。

■ 典型应用场景
RST4080K 凭借 40V 耐压、80A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• PWM 负载开关：高电流电源路径管理。

• 电机驱动：大功率无刷电机控制。

• DC/DC 转换器：高功率密度模块中的主开关。

• 电池保护：高电流充放电保护电路。

瑞斯特 RST4080K 以 TO-252-2L 封装提供 40V/80A 的 N 沟道高性能，为高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。