RST403

■ 器件概述与封装
瑞斯特（RST）RST403 是一款采用 TO-252-3（DPAK）封装的 P 沟道增强型功率MOSFET，专为工业 DC-DC 转换器等大电流应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -70A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -200A，栅源电压耐受 ±25V。最高结温 175℃，存储温度范围 -55℃~175℃，具有更高的温度裕量。RST403 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备卓越的雪崩耐受能力和可靠性。TO-252-3 封装提供优异的散热性能和电流承载能力，适合高功率密度应用，同时满足 RoHS 环保要求。

■ 关键电气参数
RST403 的导通电阻典型值 RDS(on) = 5.7mΩ（VGS=-10V, ID=-18A），在 VGS=-4.5V 时典型值为 8.3mΩ。超低的导通电阻可大幅降低导通损耗，适用于大电流开关。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1~-2.5V（ID=-250μA），兼容 3.3V/5V 驱动。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 2890pF，输出电容 COSS 约 585pF，反向传输电容 CRSS 约 470pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 51nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 16nC，使其在 100kHz 开关频率下具备良好的动态性能。栅极电阻典型值 3.8Ω。体二极管反向恢复特性优良，反向恢复时间短。

■ 热管理与可靠性设计
RST403 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 90W，TC=100℃ 时降额至 45W。结到外壳热阻 RθJC = 1.6℃/W，结到环境热阻 RθJA = 50℃/W（表面贴装于 1in² FR-4 板，2oz 铜）。TO-252-3 封装的散热焊盘需可靠焊接至 PCB 铜箔，以发挥最佳散热性能。器件经过 100% UIS 测试，单脉冲雪崩能量 EAS = 125mJ（L=0.1mH, IAS=-50A），确保在极端感性负载条件下的可靠性。器件可承受 260℃ 回流焊。

■ 典型应用场景
RST403 凭借 -30V 耐压、-70A 电流能力和 5.7mΩ 超低 RDS(on)，广泛适用于以下高功率应用：

• 工业 DC-DC 转换器：作为 buck 或 boost 转换器的主开关或同步整流管，提高效率。

• 负载开关：在 12V/24V 系统中实现低损耗的电源路径管理。

• 电机驱动：驱动大功率 BLDC 或直流有刷电机，提供大电流和快速开关能力。

• 电池保护：适用于高倍率锂电保护板，作为放电开关。

瑞斯特 RST403 以 TO-252-3 封装提供 -30V/-70A 的极致性能，为工业电源和电机控制提供高效的 P 沟道解决方案。