RST3903Z
RST3903Z 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST3903Z 是一款采用沟槽 DMOS 技术的 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 PPAK3X3 封装，专为主板/VGA/Vcore 电源、POL 应用、负载开关及 LED 应用等中高电流场景设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -50A（TC=25℃），脉冲电流 IDM = -200A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST3903Z 经过可靠性和耐久性测试，适合高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RST3903Z 的导通电阻典型值 RDS(on) = 7.1mΩ（VGS=-10V, ID=-10A），最大 8.5mΩ；在 VGS=-4.5V 时典型值为 11.5mΩ，最大 14mΩ。超低导通电阻使其在高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.2~-2.5V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 3300pF，输出电容 COSS 约 410pF，反向传输电容 CRSS 约 280pF（VDS=15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 35nC（VGS=-4.5V），米勒电荷 Qgd 约 10.6nC，适合高频开关。栅极电阻典型值 8.5Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST3903Z 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 59W，降额因子 0.47W/℃。结到壳热阻 RθJC = 2.1℃/W，结到环境热阻约 62℃/W。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST3903Z 凭借 -30V 耐压、-50A 电流能力和超低导通电阻，广泛适用于以下应用：
主板/VGA/Vcore 电源：CPU/GPU 供电模块。
POL 应用：负载点电源模块。
负载开关：高电流电源路径管理。
LED 应用：大功率 LED 驱动。
瑞斯特 RST3903Z 以 PPAK3X3 封装提供 -30V/-50A 的 P 沟道高性能，为中高功率应用提供高效、紧凑的功率开关方案。
