RST3407JM

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST3407JM 是一款 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOT23-3L 封装，专为台式机电源管理、DC/DC 转换器、负载开关和笔记本电池管理等应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -4.3A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -25A，栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST3407JM 经过 100% UIS 和 Rg 测试，具备高可靠性和耐用性。

■ 关键电气参数
RST3407JM 的导通电阻典型值 RDS(on) = 40mΩ（VGS=10V, ID=4.3A），最大 50mΩ；在 VGS=4.5V 时典型值为 51mΩ，最大 65mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 4.5V~10V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -1.0~-2.0V（ID=250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 655pF，输出电容 COSS 约 195pF，反向传输电容 CRSS 约 82pF（VDS=15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 9nC（VGS=10V），米勒电荷 Qgd 约 3.5nC，适合中高频开关。

■ 热管理与可靠性设计
RST3407JM 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.4W，TA=70℃ 时降额至 0.9W。结到环境热阻 RθJA = 120℃/W（基于 1in² 铜箔）。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST3407JM 凭借 -30V 耐压、-4.3A 电流能力和低导通电阻，广泛适用于以下应用：

• 台式机电源管理：用于主板电源路径切换。

• DC/DC 转换器：作为低压侧开关或同步整流管。

• 负载开关：在 5V/12V 系统中实现低损耗电源路径管理。

• 笔记本电池管理：电池充放电保护电路。

瑞斯特 RST3407JM 以 SOT23-3L 小封装提供 -30V/-4.3A 的 P 沟道高性能，为便携与台式设备提供高效、紧凑的功率开关方案。