RST3401MP

■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST3401MP 是一款 P 沟道增强型功率MOSFET，采用 SOT23-3L 超小型封装，专为笔记本计算机、便携设备和电池供电系统的电源管理设计。该器件额定漏源电压 VDS = -30V，连续漏极电流 ID = -4.3A（TA=25℃），脉冲电流 IDM = -17.3A，栅源电压耐受 ±12V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。RST3401MP 经过可靠性和耐久性测试，符合 RoHS 要求，适合高密度便携应用。

■ 关键电气参数
RST3401MP 的导通电阻典型值 RDS(on) = 47mΩ（VGS=-10V, ID=-4.3A），最大 52mΩ；在 VGS=-4.5V 时典型值为 51mΩ，最大 56mΩ；在 VGS=-2.5V 时典型值为 66mΩ，最大 75mΩ。低压驱动下的低导通电阻使其在 2.5V~10V 逻辑电平下均能高效工作。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 -0.5~-1.3V（ID=-250μA）。动态参数方面，输入电容 CISS 典型值 573pF，输出电容 COSS 约 74pF，反向传输电容 CRSS 约 53pF（VDS=-15V, f=1MHz）。栅极电荷 Qg 典型值 13.6nC（VGS=-10V），米勒电荷 Qgd 约 2.0nC，适合中高频开关。栅极电阻典型值 3.6Ω。

■ 热管理与可靠性设计
RST3401MP 在 TA=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 1.56W，TA=70℃ 时降额至 1.0W。短脉冲（t≤10s）结到环境热阻 RθJA = 80℃/W，稳态热阻 120℃/W（基于 1in² 铜箔），结到引线热阻 52℃/W。建议为漏极焊盘提供足够铜箔以改善散热。器件经过 UIS 测试，确保在感性负载开关中的可靠性。

■ 典型应用场景
RST3401MP 凭借 -30V 耐压、-4.3A 电流能力和低至 2.5V 的驱动能力，广泛适用于以下应用：

• 笔记本电源管理：作为系统负载开关，用于 SSD、Wi-Fi 等外设的电源控制。

• 便携设备电池管理：在电池供电系统中作为电池隔离开关。

• 负载开关：在 5V/12V 系统中实现低损耗的电源路径管理。

• DC-DC 转换器：在低压 buck 转换器中作为同步整流管。

瑞斯特 RST3401MP 以 SOT23-3L 小封装提供 -30V/-4.3A 的 P 沟道高性能，为便携设备提供高效、紧凑的功率开关方案。