RST30NP4030G
RST30NP4030G 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 40
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 7
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 9.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 11
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 23
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1000
- QG(nC):
- 17
- PD(W):
- 35
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST30NP4030G 是一款采用 DFN 5x6-8L 表面贴装封装的高性能互补型功率 MOSFET，内部集成了 N 沟道和 P 沟道两种器件，为 H 桥、逆变器等应用提供了高度集成的解决方案。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：N 沟道漏源电压 VDS = 30V，P 沟道 VDS = -30V，连续漏极电流 N 沟道 ID = 40A、P 沟道 ID = -30A（TC=100℃ 时分别为 28.3A 和 -21.2A），脉冲漏极电流 IDM = 160A/-120A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 35W，结温范围 -55℃ ~ +150℃。DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 3.6℃/W，适用于超高功率密度设计。
■ 关键电气参数
N 沟道导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=20A 时为 7mΩ，最大值 9.5mΩ（VGS=4.5V 时最大 23mΩ）；P 沟道导通电阻典型值在 VGS=-10V、ID=-15A 时为 9mΩ，最大值 11mΩ（VGS=-4.5V 时最大 20mΩ）。栅极阈值电压典型值 N 沟道为 1.5V，P 沟道为 -1.6V（ID=±250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，N 沟道输入电容 CISS = 1000pF，输出电容 COSS = 180.8pF，反向传输电容 CRSS = 164.4pF（VDS=15V、f=1MHz）；P 沟道输入电容 CISS = 1632pF，输出电容 COSS = 227pF，反向传输电容 CRSS = 178pF。总栅极电荷 N 沟道 Qg = 17nC，P 沟道 Qg = 45.6nC。体二极管正向压降均为 1.2V。
■ 热设计与可靠性
DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 3.6℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 35W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST30NP4030G 凭借互补集成和 ±30V 耐压，广泛应用于以下场景：
H 桥：用于电机驱动、电源转换等 H 桥电路。
逆变器：用于 DC-AC 逆变器中的功率级开关。
DC-DC 转换器：用于同步降压/升压转换器的功率级。
电源管理：用于电源管理电路中的功率级开关。
电机驱动：用于中等功率电机控制器中的功率级。
综上，瑞斯特 RST30NP4030G 以 DFN 5x6-8L 封装和互补集成优势，为高功率密度功率转换应用提供顶级方案。
