RST30H29D
RST30H29D 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-263
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 290
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 1.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 2
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 2
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 2.6
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 13873
- QG(nC):
- 231
- PD(W):
- 290
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST30H29D 是一款采用 TO-263-2L 表面贴装封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET，专为极超高功率密度开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 290A（TC=100℃ 时 205A），脉冲漏极电流 IDM = 1160A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 270W，降额因子 1.8W/℃，单脉冲雪崩能量 EAS = 1600mJ，结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-263-2L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.56℃/W，适用于极超高功率密度设计。
■ 关键电气参数
RST30H29D 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=160A 时为 1.4mΩ，最大值 1.8mΩ，极低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.6V（ID=250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 13873pF，输出电容 COSS = 1672pF，反向传输电容 CRSS = 1508pF（VDS=15V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 18ns，上升时间 tr = 200ns，关断延迟时间 td(off) = 85ns，下降时间 tf = 125ns（VDD=15V、ID=160A、VGS=10V、RGEN=2.5Ω）。总栅极电荷 Qg = 231nC，栅源电荷 Qgs = 27.5nC，栅漏电荷 Qgd = 55nC。体二极管正向压降 VSD = 0.85V（IS=160A），反向恢复时间 trr = 70ns，反向恢复电荷 Qrr = 180nC。
■ 热设计与可靠性
TO-263-2L 封装结到外壳热阻 RθJC = 0.56℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 270W，降额因子 1.8W/℃。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST30H29D 凭借 30V 耐压和 290A 电流能力，广泛应用于以下场景：
不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的功率开关和逆变电路。
硬开关和高频电路：适用于高频 DC-DC 转换器、开关电源等。
功率因数校正（PFC）：作为 PFC 电路中的主开关管。
电机驱动：用于大功率电机控制器的功率级开关。
电源管理：用于高功率密度电源系统中的功率级。
综上，瑞斯特 RST30H29D 以 TO-263-2L 封装和极低 RDS(on)，为极超高功率密度开关应用提供顶级方案。
