RST30H11BG
RST30H11BG 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN5*6
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 110
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 2.3
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 2.9
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 3.8
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 5
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 3009
- QG(nC):
- 66.3
- PD(W):
- 68
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST30H11BG 是一款采用 DFN 5x6-8L 表面贴装封装的高性能 N 沟道功率 MOSFET，专为极超高功率密度开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了极低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 110A（TC=100℃ 时 77.8A），脉冲漏极电流 IDM = 440A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 68W，单脉冲雪崩能量 EAS = 350mJ，结温范围 -55℃ ~ +150℃。DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.83℃/W，适用于极超高功率密度设计，如 DC/DC 转换器、高频开关和同步整流。
■ 关键电气参数
RST30H11BG 的导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=20A 时为 2.3mΩ，最大值 3.0mΩ（VGS=4.5V 时最大 4.1mΩ），极低 RDS(on) 可大幅降低导通损耗。栅极阈值电压 VGS(th) 典型值为 1.6V（ID=250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，输入电容 CISS = 3009pF，输出电容 COSS = 451pF，反向传输电容 CRSS = 403pF（VDS=15V、f=1MHz）。开关特性方面，典型开通延迟时间 td(on) = 20ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟时间 td(off) = 60ns，下降时间 tf = 10ns（VDD=15V、ID=20A、VGS=4.5V、RGEN=1.8Ω）。总栅极电荷 Qg = 66.3nC，栅源电荷 Qgs = 7.0nC，栅漏电荷 Qgd = 17.2nC。体二极管正向压降 VSD = 1.2V（IS=20A），反向恢复时间 trr = 56ns，反向恢复电荷 Qrr = 110nC。
■ 热设计与可靠性
DFN 5x6-8L 封装结到外壳热阻 RθJC = 1.83℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 68W。工作结温范围 -55℃ ~ +150℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST30H11BG 凭借 30V 耐压和极低 RDS(on)，广泛应用于以下场景：
DC/DC 转换器：用于高频 DC-DC 转换器中的功率级。
高频开关和同步整流：适用于高频开关电路和同步整流应用。
电源管理：用于高功率密度电源系统中的功率级。
负载开关：用于高功率负载切换应用。
不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的功率开关电路。
综上，瑞斯特 RST30H11BG 以 DFN 5x6-8L 封装和极低 RDS(on)，为极超高功率密度开关应用提供顶级方案。
