RST30D2519K
RST30D2519K 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-252
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N+P
- ID(A):
- 25
- VTH(V):
- 1.5
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 9.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 15
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 450
- QG(nC):
- 9.5
- PD(W):
- 30
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特（RST）RST30D2519K 是一款采用 TO-252-4L 表面贴装封装的互补型功率 MOSFET，内部集成了 N 沟道和 P 沟道两种器件，为 H 桥、逆变器等电路拓扑提供了高度集成的解决方案。该器件采用先进的沟槽工艺技术，实现了超低的导通电阻和低栅极电荷，具备优异的 ESD 保护能力和高可靠性。主要额定参数：N 沟道漏源电压 VDS = 30V，P 沟道 VDS = -30V，连续漏极电流 N 沟道 ID = 25A、P 沟道 ID = -19A（TC=100℃ 时分别为 17.7A 和 -13.4A），脉冲漏极电流 IDM = 90A/-60A，栅源电压 VGS = ±20V。器件耗散功率 PD = 21W，结温范围 -55℃ ~ +175℃。TO-252-4L 封装结到外壳热阻 RθJC = 7℃/W，适用于高密度 PCB 设计，如 H 桥、逆变器等。
■ 关键电气参数
N 沟道导通电阻典型值在 VGS=10V、ID=7A 时为 8.5mΩ，最大值 12mΩ（VGS=4.5V 时最大 18mΩ）；P 沟道导通电阻典型值在 VGS=-10V、ID=-6A 时为 28mΩ，最大值 35mΩ（VGS=-4.5V 时最大 65mΩ）。栅极阈值电压典型值 N 沟道为 2.0V，P 沟道为 -1.8V（ID=±250μA），适合 3V/5V 逻辑驱动。动态特性方面，N 沟道输入电容 CISS = 450pF，输出电容 COSS = 150pF，反向传输电容 CRSS = 90pF（VDS=15V、f=1MHz）；P 沟道输入电容 CISS = 920pF，输出电容 COSS = 140pF，反向传输电容 CRSS = 90pF（VDS=-30V、f=1MHz）。总栅极电荷 N 沟道 Qg = 9.5nC，P 沟道 Qg = 16.2nC，实现快速开关。体二极管正向压降均为 1.2V，P 沟道反向恢复时间 trr = 23ns。
■ 热设计与可靠性
TO-252-4L 封装结到外壳热阻 RθJC = 7℃/W，设计时需注意 PCB 铜箔面积和散热过孔。在 25℃ 壳温下最大耗散功率 21W。工作结温范围 -55℃ ~ +175℃。器件经过 100% UIS 和 100% AVds 测试，确保在严苛的雪崩和过压条件下可靠工作。符合无铅制造要求，可承受 260℃ 回流焊峰值温度。
■ 主要应用领域
RST30D2519K 凭借互补集成和 ±30V 耐压，广泛应用于以下场景：
H 桥：用于电机驱动、电源转换等 H 桥电路。
逆变器：用于 DC-AC 逆变器中的功率级开关。
DC-DC 转换器：用于同步降压/升压转换器的功率级。
电源管理：用于电源管理电路中的功率级开关。
电机驱动：用于小型电机控制器中的 H 桥驱动。
综上，瑞斯特 RST30D2519K 以 TO-252-4L 封装和互补集成优势，为紧凑型功率转换应用提供高集成度方案。
