RST3095YD 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计,电气性能稳定、环境适应性强, 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求,广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定,适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST3095YD 是一款 N 沟道增强型功率MOSFET,采用 TO-252-2 封装,专为 LCD TV 逆变器等大功率应用设计。该器件额定漏源电压 VDS = 30V,连续漏极电流 ID = 100A(TC=25℃),脉冲电流 IDM = 300A,栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃,存储温度范围 -55℃~150℃。RST3095YD 经过 100% UIS 和 Rg 测试,具备高可靠性和耐用性。TO-252-2 封装提供优异的散热能力,适合超高功率密度应用。
■ 关键电气参数
RST3095YD 的导通电阻典型值 RDS(on) = 3.3mΩ(VGS=10V, ID=25A),最大 4mΩ;在 VGS=4.5V 时典型值为 4.7mΩ,最大 5.5mΩ。极低的导通电阻使其在超高电流下损耗极低。栅极阈值电压 VGS(th) 范围 1.0~2.0V(ID=250μA)。动态参数方面,输入电容 CISS 典型值 1875pF,输出电容 COSS 约 325pF,反向传输电容 CRSS 约 162pF(VDS=15V, f=1MHz)。栅极电荷 Qg 典型值 31nC(VGS=10V),米勒电荷 Qgd 约 9nC,适合高频大电流开关。栅极电阻典型值 2Ω。
■ 热管理与可靠性设计
RST3095YD 在 TC=25℃ 条件下最大耗散功率 PD = 78W,TC=100℃ 时降额至 31W。结到壳热阻 RθJC = 1.6℃/W,结到环境热阻稳态 55℃/W(基于 1in² 铜箔)。器件经过 UIS 测试,单脉冲雪崩能量 EAS = 88mJ(L=0.1mH),确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST3095YD 凭借 30V 耐压、100A 电流能力和超低导通电阻,广泛适用于以下应用:
LCD TV 逆变器:用于背光驱动功率级。
高电流 DC-DC 转换器:服务器电源模块。
电机驱动:大功率无刷电机控制。
电池保护:高电流充放电保护。
瑞斯特 RST3095YD 以 TO-252-2 封装提供 30V/100A 的 N 沟道高性能,为超高功率应用提供极低损耗的功率开关方案。