RST3080L
RST3080L 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
官方品牌 · 原厂渠道
产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- TO-251S
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 80
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 5.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 6.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 7.5
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 10
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2016
- QG(nC):
- 60.5
- PD(W):
- 83
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3080L 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为需要超低导通电阻（典型5.5mΩ）和高可靠性的大功率低压开关应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 80A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 170A，导通电阻 RDS(ON) < 6.5mΩ（VGS=10V，典型值5.5mΩ），RDS(ON) < 10mΩ（VGS=5V，典型值7.5mΩ）。采用 TO-251S 通孔封装，结到壳热阻 1.8℃/W，最大功率耗散 83W（TC=25℃），降额因子 0.56W/℃。工作结温范围 -55~175℃，100% UIS测试。
■ 关键电气参数
RST3080L 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.6V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 20S（VDS=5V，ID=24A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 2330pF，输出电容 Coss = 460pF，反向传输电容 Crss = 230pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 20ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 60ns，下降时间 tf = 10ns。总栅极电荷 Qg = 51nC（VDS=10V，ID=30A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 14nC，栅漏电荷 Qgd = 11nC。体二极管反向恢复时间 trr = 32ns，反向恢复电荷 Qrr = 12nC。
■ 热设计与高可靠性
RST3080L 结到壳热阻 1.8℃/W，配合 TO-251S 通孔封装良好的散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 150mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型5.5mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，适用于严苛的工业和电源应用。TO-251S封装提供紧凑的通孔安装方案。
■ 主要应用领域
RST3080L 适用于低压大功率开关应用：
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
电机驱动：直流电机控制、BLDC驱动器中的功率开关。
工业电源：开关电源（SMPS）、负载点电源（POL）。
不间断电源：UPS功率级设计。
其30V耐压、80A电流能力和超低导通电阻（典型5.5mΩ），配合TO-251S封装，适合需要紧凑通孔安装和良好散热能力的低压大功率应用。选型时需注意散热设计，确保结温不超过175℃。
