RST3065Q
RST3065Q 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN3*3
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 65
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 4.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 5.5
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 6
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 8
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 1784
- QG(nC):
- 38.4
- PD(W):
- 45
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3065Q 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为DC/DC转换、高频开关和同步整流应用设计，具有超低导通电阻（典型4.5mΩ）。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 65A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 260A，导通电阻 RDS(ON) < 6.0mΩ（VGS=10V，典型值4.5mΩ），RDS(ON) < 8.5mΩ（VGS=4.5V，典型值6.5mΩ）。采用 DFN 3.3X3.3-8L 表面贴装封装，结到壳热阻 2.8℃/W，最大功率耗散 45W（TC=25℃），降额因子 0.36W/℃。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS和AVds测试，无铅镀层。
■ 关键电气参数
RST3065Q 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.5V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 30S（VDS=5V，ID=20A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 1784pF，输出电容 Coss = 266pF，反向传输电容 Crss = 212pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 7ns，上升时间 tr = 6ns，关断延迟 td(off) = 30ns，下降时间 tf = 8ns。总栅极电荷 Qg = 38.4nC（VDS=15V，ID=20A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 5.8nC，栅漏电荷 Qgd = 7.9nC。体二极管反向恢复时间 trr = 47ns，反向恢复电荷 Qrr = 25nC。
■ 热设计与高可靠性
RST3065Q 结到壳热阻 2.8℃/W，配合 DFN 3.3x3.3 封装优异的PCB散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 150mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 和 100% AVds 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型4.5mΩ），150℃工作温度使其适用于高温环境，无铅镀层符合环保要求。DFN封装具有低寄生电感和优异的热性能，适合高频大功率应用。
■ 主要应用领域
RST3065Q 适用于大功率、高频开关应用：
DC/DC转换：高频开关和同步整流应用中的功率开关。
电源管理：负载点电源（POL）和稳压器中的功率开关。
不间断电源：UPS功率级设计。
工业电源：开关电源（SMPS）中的功率级。
其30V耐压、65A电流能力和超低导通电阻（典型4.5mΩ），配合DFN 3.3x3.3封装，适合要求最高功率密度和效率的电源转换应用。选型时需注意PCB散热设计，确保结温不超过150℃。
