RST3055
RST3055 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- SOT-89
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 3
- VTH(V):
- 1.2
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 73
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 100
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 90
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 120
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 247
- QG(nC):
- 6
- PD(W):
- 1.7
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3055 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为电池开关、DC/DC转换器等中压应用设计，支持低至2.5V的栅极驱动电压。主要额定参数：漏源电压 VDS = 60V，连续漏极电流 ID = 3A（TA=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 10A，导通电阻 RDS(ON) < 100mΩ（VGS=10V，典型值73mΩ），RDS(ON) < 120mΩ（VGS=4.5V，典型值90mΩ）。采用 SOT-89-3L 表面贴装封装，结到环境热阻 73.5℃/W，最大功率耗散 1.7W（TA=25℃）。工作结温范围 -55~150℃，无铅产品，表面贴装封装。
■ 关键电气参数
RST3055 具有优良的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.3V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 2S（VDS=15V，ID=2A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 247pF，输出电容 Coss = 34pF，反向传输电容 Crss = 19.5pF（VDS=30V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 6ns，上升时间 tr = 15ns，关断延迟 td(off) = 15ns，下降时间 tf = 10ns。总栅极电荷 Qg = 6nC（VDS=30V，ID=3A，VGS=4.5V），栅源电荷 Qgs = 1nC，栅漏电荷 Qgd = 1.3nC。体二极管正向电压 VSD < 1.2V。
■ 热设计与高可靠性
RST3055 结到环境热阻 73.5℃/W，配合 SOT-89 封装较好的散热能力。高密度单元设计实现了低导通电阻（典型73mΩ），器件经雪崩电压和电流全特性表征。SOT-89封装提供比SOT-23更好的散热能力，60V耐压使其适用于需要更高电压裕量的电池开关和DC/DC转换应用。
■ 主要应用领域
RST3055 适用于中压小功率开关应用：
电池开关：锂电池保护电路中的充放电保护开关。
DC/DC转换：DC-DC转换器中的功率开关。
电源管理：中压电源管理应用。
工业控制：小功率驱动和逻辑电平转换电路。
其60V耐压、3A电流能力和低导通电阻（典型73mΩ），配合SOT-89封装，适合需要较高电压和中等功率密度的应用。选型时需注意热管理，确保结温不超过150℃。
