RST3035Q
RST3035Q 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- Package/Case:
- DFN3*3
- 车规级工业级:
- 工业级
- Technology:
- Trench
- Product status:
- Production
- Polarity:
- N
- ID(A):
- 35
- VTH(V):
- 1.6
- RDS(ON)@10VTyp(mΩ):
- 6.5
- RDS(ON)@10VMax(mΩ):
- 7
- RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ):
- 9
- RDS(ON)@4.5VMax(mΩ):
- 12
- RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ):
- RDS(ON)@2.5VMax(mΩ):
- VGS(th)(V):
- ±20
- CISS(pF):
- 2330
- QG(nC):
- 45
- PD(W):
- 35
- Specialfeature:
■ 器件概述与封装特性
瑞斯特 RST3035Q 是一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道增强型功率MOSFET，专为次级侧同步整流和高侧POL DC/DC转换器等高性能应用设计。主要额定参数：漏源电压 VDS = 30V，连续漏极电流 ID = 35A（TC=25℃），脉冲漏极电流 IDM = 120A，导通电阻 RDS(ON) < 7.0mΩ（VGS=10V，典型值6.5mΩ），RDS(ON) < 11mΩ（VGS=4.5V，典型值9mΩ）。采用 DFN 3x3 EP 表面贴装封装，结到壳热阻 3.6℃/W，最大功率耗散 35W（TC=25℃），降额因子 0.28W/℃。工作结温范围 -55~150℃，100% UIS测试。
■ 关键电气参数
RST3035Q 具有卓越的导通特性，典型阈值电压 VGS(th) = 1.6V（ID=250μA），正向跨导 gFS = 30S（VDS=10V，ID=12A）。动态参数方面，输入电容 Ciss = 2330pF，输出电容 Coss = 460pF，反向传输电容 Crss = 230pF（VDS=15V，VGS=0V，f=1MHz）。开关特性优异：开通延迟 td(on) = 18ns，上升时间 tr = 10ns，关断延迟 td(off) = 34ns，下降时间 tf = 10ns。总栅极电荷 Qg = 45nC（VDS=15V，ID=12A，VGS=10V），栅源电荷 Qgs = 9.4nC，栅漏电荷 Qgd = 7.7nC。体二极管反向恢复时间 trr = 47ns，反向恢复电荷 Qrr = 25nC。
■ 热设计与高可靠性
RST3035Q 结到壳热阻 3.6℃/W，配合 DFN 3x3 封装优异的PCB散热能力。单脉冲雪崩能量 EAS = 150mJ（Tj=25℃），器件经 100% UIS 测试。高密度单元设计实现了超低导通电阻（典型6.5mΩ），特殊工艺提供高ESD防护能力，DFN封装具有低寄生电感和优异的热性能，适合高频大功率应用。
■ 主要应用领域
RST3035Q 适用于高性能电源转换应用：
次级侧同步整流：同步整流器中的功率开关，实现高效率。
POL DC/DC转换：负载点DC-DC转换器中的高侧开关。
电源转换：硬开关和高频电路、DC-DC转换器中的功率开关。
不间断电源：UPS功率级设计。
其30V耐压、35A电流能力、超低导通电阻（典型6.5mΩ）和DFN 3x3封装，适合要求高功率密度和效率的同步整流和POL转换应用。选型时需注意PCB散热设计，确保结温不超过150℃。
