RST3034A2
RST3034A2 采用高可靠性材料与成熟制程工艺设计，电气性能稳定、环境适应性强， 符合 ROHS、REACH 等欧盟环保指令要求，广泛应用于工业控制、电源管理、消费电子及智能设备领域。 产品一致性高、供货稳定，适用于对品质与可靠性要求严格的应用场景。
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产品详情
- 产品参数
- 产品描述
- 封装:
- Configuration:
- Type:
- VDS(V):
- VGS(±V):
- Vth（V）:
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=10V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=4.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=2.5V(max.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(typ.):
- RDS(ON)(mΩmax./typ.)atVGS=1.8V(max.):
- ESDDiode:
■ 器件概述与封装
瑞斯特 RST3034A2 是一款集成了 N 沟道和 P 沟道增强型功率MOSFET 的双通道器件，采用 DFN3.3x3.3G-8_EP2 封装，专为同步整流、电机控制、高电流高速开关等应用设计。N 沟道额定 VDS = 30V，连续电流 ID = 31A（TC=25℃）；P 沟道额定 VDS = -30V，连续电流 ID = -30A（TC=25℃）。栅源电压耐受 ±20V。最高结温 150℃，存储温度范围 -55℃~150℃。器件经过 100% UIS 和 Rg 测试，MSL1 等级，适合高可靠性应用。
■ 关键电气参数
N 沟道：RDS(on) = 7mΩ（典型，VGS=10V, ID=31A），最大 10mΩ（VGS=4.5V）。P 沟道：RDS(on) = 12mΩ（典型，VGS=-10V, ID=-30A），最大 16mΩ（VGS=-4.5V）。极低的导通电阻确保高电流下损耗极低。阈值电压 N 沟道 0.5-1.5V，P 沟道 -1.0~-2.5V。动态参数方面，N 沟道输入电容约 660pF，P 沟道约 1270pF（VDS=15V）。栅极电荷 N 沟道约 5.5nC（4.5V），P 沟道约 13.8nC（4.5V）。栅极电阻 N 沟道 1.7Ω，P 沟道 7Ω。
■ 热管理与可靠性设计
N 沟道最大耗散功率 PD = 21W（TC=25℃），P 沟道 25W。结到环境热阻稳态 95℃/W（基于 1in² 铜箔）。结到壳热阻 6℃/W。器件经过 UIS 测试，N 沟道雪崩能量 EAS = 18mJ（L=0.1mH），P 沟道 26mJ，确保在感性负载开关中的可靠性。
■ 典型应用场景
RST3034A2 凭借双通道高电流能力，广泛适用于以下应用：
同步整流：在 DC-DC 转换器中同时提供高低侧开关。
电机控制：用于 H 桥驱动电路。
高电流高速开关：如服务器电源模块。
电池管理：充放电保护电路。
瑞斯特 RST3034A2 以 DFN 紧凑封装提供双通道高性能，为高功率密度应用提供集成化的功率开关方案。
